Solid State Inc. 2N6661

Número de parte
2N6661
Fabricante
Solid State Inc.
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Paquete
TO-39
Ficha técnica
FudongIC2N6661.pdf
Descripción
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Revisión de calidad:
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de 2N6661 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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Aplicaciones

🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado 2N6661?

2N6661 es un producto de Solid State Inc. dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar 2N6661, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para 2N6661

Descripción del producto

2N6661 es un producto de Solid State Inc. en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 90V 900MA TO39. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

  • Número de parte: 2N6661
  • Fabricante: Solid State Inc.
  • Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
  • Encapsulado: TO-39
  • Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
  • Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

2N6661 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para 2N6661, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

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Product details

2N6661 - Preguntas frecuentes

¿2N6661 está actualmente en stock?

2N6661 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 880. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para 2N6661?

La cantidad mínima de pedido para 2N6661 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿2N6661 es original y genuino?

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. 2N6661 de Solid State Inc. se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para 2N6661?

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para 2N6661?

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para 2N6661. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen 2N6661 2N6660 BUZ50A
Número de parte 2N6661 2N6660 BUZ50A
Fabricante Solid State Inc. Solid State Inc. Solid State Inc.
Packaging Box Box Box
Series - - -
ProductStatus Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 90 V 90 V 90 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 900mA (Tc) 900mA (Tc) 900mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 4mOhm @ 1A, 10V 4mOhm @ 1A, 10V 4mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - - -
Vgs(Max) ±40V ±40V ±40V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
FETFeature - - -
PowerDissipation(Max) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole

2N6661 Información relevante

Las siguientes partes están incluidas "2N6661" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. 2N6661.

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