Solid State Inc. 2N6660

Número de parte
2N6660
Fabricante
Solid State Inc.
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Paquete
TO-39
Ficha técnica
FudongIC2N6660.pdf
Descripción
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Revisión de calidad:
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de 2N6660 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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Aplicaciones

🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado 2N6660?

2N6660 es un producto de Solid State Inc. dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar 2N6660, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

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Descripción del producto

2N6660 es un producto de Solid State Inc. en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

  • Número de parte: 2N6660
  • Fabricante: Solid State Inc.
  • Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
  • Encapsulado: TO-39
  • Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
  • Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

2N6660 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para 2N6660, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

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Product details

2N6660 - Preguntas frecuentes

¿2N6660 está actualmente en stock?▼

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¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para 2N6660?▼

La cantidad mínima de pedido para 2N6660 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿2N6660 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. 2N6660 de Solid State Inc. se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para 2N6660?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para 2N6660?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para 2N6660. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen 2N6661 2N6660 BUZ50A
Número de parte 2N6661 2N6660 BUZ50A
Fabricante Solid State Inc. Solid State Inc. Solid State Inc.
Packaging Box Box Box
Series - - -
ProductStatus Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 60 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.1A (Tc) 1.1A (Tc) 1.1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - - -
Vgs(Max) ±40V ±40V ±40V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
FETFeature - - -
PowerDissipation(Max) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole

2N6660 Información relevante

Las siguientes partes están incluidas "2N6660" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. 2N6660.

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