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Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3

Name: SIZ998BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ998BDT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: SIZ998BDT-T1-GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Paquete: 8-PowerWDFN

Ficha técnica: SIZ998BDT-T1-GE3.pdf

Descripción: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado SIZ998BDT-T1-GE3?

SIZ998BDT-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar SIZ998BDT-T1-GE3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

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Descripción del producto

SIZ998BDT-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: SIZ998BDT-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Encapsulado: 8-PowerWDFN
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

SIZ998BDT-T1-GE3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para SIZ998BDT-T1-GE3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
TrenchFET® Gen IV
ProductStatus:
Active
FETType:
2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature:
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss):
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs:
4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Power-Max:
3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Ficha técnica
SIZ998BDT-T1-GE3.pdf

SIZ998BDT-T1-GE3 - Preguntas frecuentes

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La cantidad mínima de pedido para SIZ998BDT-T1-GE3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿SIZ998BDT-T1-GE3 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. SIZ998BDT-T1-GE3 de Vishay Siliconix se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para SIZ998BDT-T1-GE3?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para SIZ998BDT-T1-GE3?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para SIZ998BDT-T1-GE3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	SIZ260DT-T1-GE3	SIZ342ADT-T1-GE3	SIZ322DT-T1-GE3	SIZF906DT-T1-GE3	SIZ998BDT-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V	30V	30V	30V	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Power-Max	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount

Las siguientes partes están incluidas "SIZ998BDT-T1-GE3" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. SIZ998BDT-T1-GE3.

Número de parte
Fabricante
Paquete
Descripción

2N7002DW-TP Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated
SOT-23-6

MOSFET N/P-CH 20V SOT26
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies
8-PowerTDFN

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
IRF7324TRPBF Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC