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Vishay Siliconix SIHB35N60EF-GE3
- Número de parte
- SIHB35N60EF-GE3
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- D²PAK (TO-263)
- Ficha técnica
-
SIHB35N60EF-GE3.pdf
- Descripción
- MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de SIHB35N60EF-GE3 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
- Cantidad
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- Envío
¿Para qué aplicaciones es adecuado SIHB35N60EF-GE3?
SIHB35N60EF-GE3 es un producto de Vishay Siliconix dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar SIHB35N60EF-GE3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para SIHB35N60EF-GE3Descripción del producto
SIHB35N60EF-GE3 es un producto de Vishay Siliconix en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: SIHB35N60EF-GE3
- Fabricante: Vishay Siliconix
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: D²PAK (TO-263)
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
SIHB35N60EF-GE3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para SIHB35N60EF-GE3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:EF
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):600 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:32A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:97mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:134 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2568 pF @ 100 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):250W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
SIHB35N60EF-GE3 - Preguntas frecuentes
SIHB35N60EF-GE3 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2494. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para SIHB35N60EF-GE3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. SIHB35N60EF-GE3 de Vishay Siliconix se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para SIHB35N60EF-GE3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | SIHB35N60EF-GE3 | SIHH240N60E-T1-GE3 | SIHA22N60EF-GE3 | SIHG105N60EF-GE3 | SIHB125N60EF-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | EF | EF | EF | EF | EF |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 32A (Tc) | 32A (Tc) | 32A (Tc) | 32A (Tc) | 32A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 97mOhm @ 17A, 10V | 97mOhm @ 17A, 10V | 97mOhm @ 17A, 10V | 97mOhm @ 17A, 10V | 97mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 134 nC @ 10 V | 134 nC @ 10 V | 134 nC @ 10 V | 134 nC @ 10 V | 134 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2568 pF @ 100 V | 2568 pF @ 100 V | 2568 pF @ 100 V | 2568 pF @ 100 V | 2568 pF @ 100 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
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SIHB35N60EF-GE3 Información relevante
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