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Nexperia USA Inc. PMGD780SN,115
- Número de parte
- PMGD780SN,115
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Ficha técnica
-
PMGD780SN,115.pdf
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
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¿Para qué aplicaciones es adecuado PMGD780SN,115?
PMGD780SN,115 es un producto de Nexperia USA Inc. dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar PMGD780SN,115, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para PMGD780SN,115Descripción del producto
PMGD780SN,115 es un producto de Nexperia USA Inc. en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: PMGD780SN,115
- Fabricante: Nexperia USA Inc.
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
PMGD780SN,115 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para PMGD780SN,115, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):60V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:490mA
- RdsOn(Max)@IdVgs:920mOhm @ 300mA, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:1.05nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:23pF @ 30V
- Power-Max:410mW
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
PMGD780SN,115 - Preguntas frecuentes
PMGD780SN,115 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2239. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para PMGD780SN,115 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. PMGD780SN,115 de Nexperia USA Inc. se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para PMGD780SN,115. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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 |
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| Número de parte | PMGD280UN,115 | PMGD290XN,115 | PMGD780SN,115 | BUK9K25-40EX | BUK9K8R7-40EX |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V | 60V | 60V | 60V | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 490mA | 490mA | 490mA | 490mA | 490mA |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 920mOhm @ 300mA, 10V | 920mOhm @ 300mA, 10V | 920mOhm @ 300mA, 10V | 920mOhm @ 300mA, 10V | 920mOhm @ 300mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 1.05nC @ 10V | 1.05nC @ 10V | 1.05nC @ 10V | 1.05nC @ 10V | 1.05nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 23pF @ 30V | 23pF @ 30V | 23pF @ 30V | 23pF @ 30V | 23pF @ 30V |
| Power-Max | 410mW | 410mW | 410mW | 410mW | 410mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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PMGD780SN,115 Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "PMGD780SN,115" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. PMGD780SN,115.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
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