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Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518
- Número de parte
- PHKD3NQ10T,518
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ficha técnica
-
PHKD3NQ10T,518.pdf
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de PHKD3NQ10T,518 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
- Cantidad
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¿Para qué aplicaciones es adecuado PHKD3NQ10T,518?
PHKD3NQ10T,518 es un producto de Nexperia USA Inc. dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar PHKD3NQ10T,518, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para PHKD3NQ10T,518Descripción del producto
PHKD3NQ10T,518 es un producto de Nexperia USA Inc. en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: PHKD3NQ10T,518
- Fabricante: Nexperia USA Inc.
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
PHKD3NQ10T,518 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para PHKD3NQ10T,518, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR)
- Series:TrenchMOS™
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:3A
- RdsOn(Max)@IdVgs:90mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:21nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:633pF @ 20V
- Power-Max:2W
- OperatingTemperature:-65°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
PHKD3NQ10T,518 - Preguntas frecuentes
PHKD3NQ10T,518 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2548. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para PHKD3NQ10T,518 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. PHKD3NQ10T,518 de Nexperia USA Inc. se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para PHKD3NQ10T,518. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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 |
|
| Número de parte | PMGD280UN,115 | PMGD290XN,115 | PMGD780SN,115 | BUK9K25-40EX | BUK9K8R7-40EX |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V | 100V | 100V | 100V | 100V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3A | 3A | 3A | 3A | 3A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 90mOhm @ 1.5A, 10V | 90mOhm @ 1.5A, 10V | 90mOhm @ 1.5A, 10V | 90mOhm @ 1.5A, 10V | 90mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 21nC @ 10V | 21nC @ 10V | 21nC @ 10V | 21nC @ 10V | 21nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 633pF @ 20V | 633pF @ 20V | 633pF @ 20V | 633pF @ 20V | 633pF @ 20V |
| Power-Max | 2W | 2W | 2W | 2W | 2W |
| OperatingTemperature | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
PHKD3NQ10T,518 Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "PHKD3NQ10T,518" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. PHKD3NQ10T,518.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
-
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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