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MB6S-E3/80 es un producto de Vishay General Semiconductor - Diodes Division dentro de la categoría Diodos - Rectificadores de puente. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar MB6S-E3/80, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para MB6S-E3/80MB6S-E3/80 es un producto de Vishay General Semiconductor - Diodes Division en la categoría Diodos - Rectificadores de puente. La descripción es: BRIDGE RECT 1P 600V TO269AA. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
MB6S-E3/80 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para MB6S-E3/80, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
MB6S-E3/80 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2435. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para MB6S-E3/80 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. MB6S-E3/80 de Vishay General Semiconductor - Diodes Division se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para MB6S-E3/80. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen | ![]() |
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| Número de parte | MB2S-E3/80 | MB6S-E3/80 | GBPC2510-E4/51 | GBPC3510-E4/51 | VS-36MT60 |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| DiodeType | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| Technology | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Voltage-PeakReverse(Max) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 500 mA | 500 mA | 500 mA | 500 mA | 500 mA |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1 V @ 400 mA | 1 V @ 400 mA | 1 V @ 400 mA | 1 V @ 400 mA | 1 V @ 400 mA |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VRRM(V) | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP |
| I(AV)(A) | |||||
| IFSM(A) | |||||
| VF@IF(V) | |||||
| VF@IF(A) | |||||
| IR(μA) | |||||
| Trr(ns) |
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