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SemiQ GCMX080B120S1-E1

Name: GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: GCMX080B120S1-E1
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: GCMX080B120S1-E1

Fabricante: SemiQ

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: SOT-227

Ficha técnica: GCMX080B120S1-E1.pdf

Descripción: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado GCMX080B120S1-E1?

GCMX080B120S1-E1 es un producto de SemiQ dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar GCMX080B120S1-E1, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para GCMX080B120S1-E1

Descripción del producto

GCMX080B120S1-E1 es un producto de SemiQ en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: GCMX080B120S1-E1
Fabricante: SemiQ
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: SOT-227
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

GCMX080B120S1-E1 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para GCMX080B120S1-E1, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
20V
RdsOn(Max)@IdVgs:
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
58 nC @ 20 V
Vgs(Max):
+25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1336 pF @ 1000 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
142W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Chassis Mount
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
GCMX080B120S1-E1.pdf

GCMX080B120S1-E1 - Preguntas frecuentes

¿GCMX080B120S1-E1 está actualmente en stock?▼

GCMX080B120S1-E1 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3515. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para GCMX080B120S1-E1?▼

La cantidad mínima de pedido para GCMX080B120S1-E1 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿GCMX080B120S1-E1 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. GCMX080B120S1-E1 de SemiQ se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para GCMX080B120S1-E1?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para GCMX080B120S1-E1?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para GCMX080B120S1-E1. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	GP2T080A120H	GCMX080B120S1-E1	GCMS080B120S1-E1	GP2T040A120U	GP2T040A120H
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Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	30A (Tc)	30A (Tc)	30A (Tc)	30A (Tc)	30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	20V	20V	20V	20V	20V
RdsOn(Max)@IdVgs	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V
Vgs(Max)	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	142W (Tc)	142W (Tc)	142W (Tc)	142W (Tc)	142W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount