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Fairchild Semiconductor FQT7N10LTF
- Número de parte
- FQT7N10LTF
- Fabricante
- Fairchild Semiconductor
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- SOT-223-4
- Ficha técnica
-
FQT7N10LTF.pdf
- Descripción
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de FQT7N10LTF ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado FQT7N10LTF?
FQT7N10LTF es un producto de Fairchild Semiconductor dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar FQT7N10LTF, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para FQT7N10LTFDescripción del producto
FQT7N10LTF es un producto de Fairchild Semiconductor en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: FQT7N10LTF
- Fabricante: Fairchild Semiconductor
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: SOT-223-4
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
FQT7N10LTF puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para FQT7N10LTF, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:QFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:1.7A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:350mOhm @ 850mA, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:6 nC @ 5 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:290 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):2W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
FQT7N10LTF - Preguntas frecuentes
FQT7N10LTF aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3943. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para FQT7N10LTF es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. FQT7N10LTF de Fairchild Semiconductor se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para FQT7N10LTF. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | FQU1N50TU | FQNL1N50BBU | FQB17N08TM | FQN1N50CBU | FQP5N20L |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 1.7A (Tc) | 1.7A (Tc) | 1.7A (Tc) | 1.7A (Tc) | 1.7A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 350mOhm @ 850mA, 10V | 350mOhm @ 850mA, 10V | 350mOhm @ 850mA, 10V | 350mOhm @ 850mA, 10V | 350mOhm @ 850mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 6 nC @ 5 V | 6 nC @ 5 V | 6 nC @ 5 V | 6 nC @ 5 V | 6 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 290 pF @ 25 V | 290 pF @ 25 V | 290 pF @ 25 V | 290 pF @ 25 V | 290 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 2W (Tc) | 2W (Tc) | 2W (Tc) | 2W (Tc) | 2W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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