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Fairchild Semiconductor FQB9N25CTM
- Número de parte
- FQB9N25CTM
- Fabricante
- Fairchild Semiconductor
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- D2PAK (TO-263)
- Ficha técnica
-
FQB9N25CTM.pdf
- Descripción
- MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de FQB9N25CTM ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado FQB9N25CTM?
FQB9N25CTM es un producto de Fairchild Semiconductor dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar FQB9N25CTM, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para FQB9N25CTMDescripción del producto
FQB9N25CTM es un producto de Fairchild Semiconductor en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: FQB9N25CTM
- Fabricante: Fairchild Semiconductor
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: D2PAK (TO-263)
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
FQB9N25CTM puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para FQB9N25CTM, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:QFET®
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):250 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:8.8A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:430mOhm @ 4.4A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:35 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:710 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):3.13W (Ta), 74W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
FQB9N25CTM - Preguntas frecuentes
FQB9N25CTM aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3222. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para FQB9N25CTM es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. FQB9N25CTM de Fairchild Semiconductor se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para FQB9N25CTM. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | FQU1N50TU | FQNL1N50BBU | FQB17N08TM | FQN1N50CBU | FQP5N20L |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 250 V | 250 V | 250 V | 250 V | 250 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 8.8A (Tc) | 8.8A (Tc) | 8.8A (Tc) | 8.8A (Tc) | 8.8A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 710 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V | 710 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
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- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
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