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Infineon Technologies DF23MR12W1M1PB11BPSA1
- Número de parte
- DF23MR12W1M1PB11BPSA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- Module
- Ficha técnica
-
DF23MR12W1M1PB11BPSA1.pdf
- Descripción
- MOSFET MODULE 1200V
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
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¿Para qué aplicaciones es adecuado DF23MR12W1M1PB11BPSA1?
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 es un producto de Infineon Technologies dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar DF23MR12W1M1PB11BPSA1, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para DF23MR12W1M1PB11BPSA1Descripción del producto
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 es un producto de Infineon Technologies en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET MODULE 1200V. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: DF23MR12W1M1PB11BPSA1
- Fabricante: Infineon Technologies
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: Module
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para DF23MR12W1M1PB11BPSA1, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Tray
- Series:EasyPACK™
- ProductStatus:Last Time Buy
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Silicon Carbide (SiC)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):1200V (1.2kV)
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:25A (Tj)
- RdsOn(Max)@IdVgs:45mOhm @ 25A, 15V
- Vgs(th)(Max)@Id:5.55V @ 10mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:62nC @ 15V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1840pF @ 800V
- Power-Max:20mW
- OperatingTemperature:-40°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Chassis Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Preguntas frecuentes
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3395. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para DF23MR12W1M1PB11BPSA1 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. DF23MR12W1M1PB11BPSA1 de Infineon Technologies se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para DF23MR12W1M1PB11BPSA1. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
|
| Número de parte | DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | DF11MR12W1M1PB11BPSA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tray | Tray |
| Series | EasyPACK™ | EasyPACK™ |
| ProductStatus | Last Time Buy | Last Time Buy |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 25A (Tj) | 25A (Tj) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 45mOhm @ 25A, 15V | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5.55V @ 10mA | 5.55V @ 10mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 62nC @ 15V | 62nC @ 15V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1840pF @ 800V | 1840pF @ 800V |
| Power-Max | 20mW | 20mW |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Chassis Mount | Chassis Mount |
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