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Texas Instruments CSD87312Q3E
- Número de parte
- CSD87312Q3E
- Fabricante
- Texas Instruments
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 8-PowerTDFN
- Ficha técnica
-
CSD87312Q3E.pdf
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de CSD87312Q3E ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
- Cantidad
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- Envío
¿Para qué aplicaciones es adecuado CSD87312Q3E?
CSD87312Q3E es un producto de Texas Instruments dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar CSD87312Q3E, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para CSD87312Q3EDescripción del producto
CSD87312Q3E es un producto de Texas Instruments en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: CSD87312Q3E
- Fabricante: Texas Instruments
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 8-PowerTDFN
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
CSD87312Q3E puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para CSD87312Q3E, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:NexFET™
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual) Common Source
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:27A
- RdsOn(Max)@IdVgs:33mOhm @ 7A , 8V
- Vgs(th)(Max)@Id:1.3V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:8.2nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1250pF @ 15V
- Power-Max:2.5W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
CSD87312Q3E - Preguntas frecuentes
CSD87312Q3E aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3229. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para CSD87312Q3E es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. CSD87312Q3E de Texas Instruments se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para CSD87312Q3E. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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|
| Número de parte | CSD87351Q5D | CSD87330Q3D | CSD87333Q3D | CSD85301Q2T | CSD87312Q3E |
| Fabricante | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 27A | 27A | 27A | 27A | 27A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 33mOhm @ 7A , 8V | 33mOhm @ 7A , 8V | 33mOhm @ 7A , 8V | 33mOhm @ 7A , 8V | 33mOhm @ 7A , 8V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 1.3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 8.2nC @ 4.5V | 8.2nC @ 4.5V | 8.2nC @ 4.5V | 8.2nC @ 4.5V | 8.2nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1250pF @ 15V | 1250pF @ 15V | 1250pF @ 15V | 1250pF @ 15V | 1250pF @ 15V |
| Power-Max | 2.5W | 2.5W | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
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CSD87312Q3E Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "CSD87312Q3E" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. CSD87312Q3E.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
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