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Microsemi Corporation APT4065BNG
- Número de parte
- APT4065BNG
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- TO-247AD
- Ficha técnica
APT4065BNG.pdf
- Descripción
- MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
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¿Para qué aplicaciones es adecuado APT4065BNG?
APT4065BNG es un producto de Microsemi Corporation dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar APT4065BNG, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para APT4065BNGDescripción del producto
APT4065BNG es un producto de Microsemi Corporation en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: APT4065BNG
- Fabricante: Microsemi Corporation
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: TO-247AD
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
APT4065BNG puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para APT4065BNG, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tube
- Series:POWER MOS IV®
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):400 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:11A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:650mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:55 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:950 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):180W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Categoría:
- Ficha técnicaAPT4065BNG.pdf
APT4065BNG - Preguntas frecuentes
APT4065BNG aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2084. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para APT4065BNG es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. APT4065BNG de Microsemi Corporation se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para APT4065BNG. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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|
| Número de parte | APT1002RBNG | APT4065BNG | APT40M42JN | APT40M75JN | APT5012JN |
| Fabricante | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | POWER MOS IV® | POWER MOS IV® | POWER MOS IV® | POWER MOS IV® | POWER MOS IV® |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 11A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 650mOhm @ 5.5A, 10V | 650mOhm @ 5.5A, 10V | 650mOhm @ 5.5A, 10V | 650mOhm @ 5.5A, 10V | 650mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 55 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 950 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 180W (Tc) | 180W (Tc) | 180W (Tc) | 180W (Tc) | 180W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
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APT4065BNG Información relevante
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