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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
BLM10D3438-70ABGZ BLM10D3438-70ABG/OMP400/TRAYDP Ampleon USA Inc.	2,927	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	BLM	Active	LDMOS (Dual)	3.4GHz ~ 3.8GHz	31.8dB	28 V	1.4µA	-	110 mA	-	65 V
VRF151 MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Microchip Technology	3,608	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	175MHz	14dB	50 V	1mA	-	250 mA	150W	170 V
CG2H40010F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Wolfspeed, Inc.	101	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	8GHz	16.5dB	28 V	-	-	100 mA	-	120 V
ART150FEU ART150FE/SOT467/TRAY Ampleon USA Inc.	2,762	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	ART	Active	LDMOS	1MHz ~ 650MHz	31dB	65 V	1.2µA	-	20 mA	150W	200 V
BLF573,112 RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST Ampleon USA Inc.	3,757	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	225MHz	27.2dB	50 V	42A	-	900 mA	300W	110 V
CLF3H0060-30U CLF3H0060-30U/SOT1227/TRAY Ampleon USA Inc.	3,919	-	RFQ		Tray	-	Active	HEMT	0Hz ~ 6GHz	17dB	50 V	-	-	60 mA	30W	150 V
CGHV14250F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Wolfspeed, Inc.	2,277	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	GaN	Active	HEMT	1.2GHz ~ 1.4GHz	18dB	50 V	42mA	-	500 mA	330W	125 V
CGH40180PP RF MOSFET HEMT 28V 440199 Wolfspeed, Inc.	2,600	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	0Hz ~ 2.5GHz	19dB	28 V	56A	-	2 A	220W	84 V
CGHV1J006D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Wolfspeed, Inc.	2,885	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	18GHz	17dB	40 V	-	-	30 mA	6W	100 V
CGHV59350F RF MOSFET HEMT 50V 440217 Wolfspeed, Inc.	2,934	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	5.2GHz ~ 5.9GHz	11.2dB	50 V	24A	-	1 A	450W	125 V
BLP10H603AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc.	2,065	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	860MHz	22.8dB	50 V	-	-	15 mA	2.5W	104 V
ARF463AG RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microchip Technology	3,575	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	81.36MHz	15dB	125 V	9A	-	50 mA	100W	500 V
MRF300BN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	2,093	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	LDMOS	27MHz ~ 250MHz	18.7dB	50 V	-	-	-	300W	-
ARF461AG RF MOSFET N-CH 1000V TO247 Microchip Technology	3,833	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	N-Channel	65MHz	15dB	50 V	25µA	-	-	150W	1000 V
ARF460BG FET RF N-CH 500V 14A TO247 Microchip Technology	2,573	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	40.68MHz	15dB	125 V	14A	-	50 mA	-	500 V
BLC10G22LS-240PVTZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3 Ampleon USA Inc.	3,604	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	19.7dB	28 V	1.4µA	-	1.6 A	60W	65 V
BLC10G18XS-551AVTZ BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAYDP Ampleon USA Inc.	3,778	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.805GHz ~ 1.88GHz	16.1dB	32 V	2.8µA	-	750 mA	550W	65 V
VRF152 MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Microchip Technology	2,488	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	175MHz	14dB	50 V	50µA	-	250 mA	150W	130 V
BLF0910H9LS600U BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	3,936	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	LDMOS	900MHz ~ 930MHz	18.6dB	50 V	2.8µA	-	90 mA	600W	108 V
ARF476FL RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR Microchip Technology	3,342	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	2 N-Channel (Dual) Common Source	128MHz	16dB	150 V	10A	-	15 mA	900W	500 V