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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
BLP7G22-05Z BLP7G22-05 - 5W PLASTIC LDMOS PO Ampleon USA Inc.	3,727	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NE5531079A-T1-A FET RF 30V 460MHZ 79A Renesas	3,661	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Obsolete	LDMOS	460MHz	-	7.5 V	3A	-	200 mA	40dBm	30 V
AFT27S010NT1 AFT27S010N - AIRFAST RF POWER LD NXP Semiconductors	3,126	-	RFQ		Bulk	-	Obsolete	LDMOS	728MHz ~ 3.6GHz	21.7dB	28 V	10µA	-	90 mA	1.26W	65 V
AFT27S010NT1 FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W NXP USA Inc.	2,645	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	2.17GHz	21.7dB	28 V	-	-	90 mA	1.26W	65 V
BLF242 BLF242 - VHF PUSH-PULL POWER VDM Rochester Electronics, LLC	3,849	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	N-Channel	175MHz	16dB	28 V	1A	-	10 mA	5W	65 V
BLF175 BLF175 - HF/VHF POWER VDMOS TRAN Rochester Electronics, LLC	3,311	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	N-Channel	108MHz	20dB	50 V	4A	-	30 mA	30W	125 V
MRF6V2150NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- NXP USA Inc.	3,008	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	LDMOS	220MHz	25dB	50 V	-	-	450 mA	150W	110 V
BLF7G20LS-90P,118 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Ampleon USA Inc.	3,108	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CLF1G0060S-10 CLF1G0060S-10 - 10W BROADBAND RF Rochester Electronics, LLC	242	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CLF1G0060-10 CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF Rochester Electronics, LLC	616	-	RFQ		Bulk	-	Obsolete	HEMT	6GHz	16dB	50 V	-	-	150 mA	10W	150 V
MRF8P20100HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL NXP USA Inc.	747	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF8S21100HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE NXP USA Inc.	536	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3T19H455W23SR6 1930-1990 MHZ, 81 W AVG., 30 V A NXP USA Inc.	2,513	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF8S18120HSR3 RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE NXP USA Inc.	3,243	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
WP28007025 RF GaN HEMT 28V DIE DC~7GHZ, 25W WAVEPIA.,Co.Ltd	3,406	-	RFQ	Ficha técnica	Box	-	Active	GaN HEMT	7GHz	17dB	28 V	800mA	-	100 mA	25W	28 V
WP48007025 RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W WAVEPIA.,Co.Ltd	2,189	-	RFQ	Ficha técnica	Box	-	Active	GaN HEMT	8GHz	12dB	48 V	800mA	-	250 mA	30W	48 V
MRF6VP3091NR1 MRF6V3090 - N CHANNEL MOSFET Freescale Semiconductor - NXP	480	-	RFQ		Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 1.215GHz	22dB	50 V	10µA	-	450 mA	90W	115 V
CLF1G0060-30 CLF1G0060-30 - 30W BROADBAND RF Rochester Electronics, LLC	2,676	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CLF1G0060-30 CLF1G0060-30 - 30W BROADBAND RF Ampleon USA Inc.	706	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	GaN HEMT	3GHz ~ 3.5GHz	13dB	50 V	-	-	70 mA	30W	150 V
MRFE6VP5600HSR5 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P NXP USA Inc.	3,653	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-