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Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG
- Número de parte
- TSM500P02DCQ RFG
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 6-VDFN Exposed Pad
- Ficha técnica
-
TSM500P02DCQ RFG.pdf
- Descripción
- MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de TSM500P02DCQ RFG ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado TSM500P02DCQ RFG?
TSM500P02DCQ RFG es un producto de Taiwan Semiconductor Corporation dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar TSM500P02DCQ RFG, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para TSM500P02DCQ RFGDescripción del producto
TSM500P02DCQ RFG es un producto de Taiwan Semiconductor Corporation en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: TSM500P02DCQ RFG
- Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 6-VDFN Exposed Pad
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
TSM500P02DCQ RFG puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para TSM500P02DCQ RFG, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:2 P-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:4.7A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:50mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:800mV @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:9.6nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1230pF @ 10V
- Power-Max:620mW
- OperatingTemperature:-50°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
TSM500P02DCQ RFG - Preguntas frecuentes
TSM500P02DCQ RFG aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3982. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para TSM500P02DCQ RFG es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. TSM500P02DCQ RFG de Taiwan Semiconductor Corporation se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para TSM500P02DCQ RFG. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
|
 |
.jpg) |
|
| Número de parte | TSM250N02DCQ RFG | TSM2537CQ RFG | TSM6502CR RLG | TSM6963SDCA RVG | TSM6968DCA RVG |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 4.7A (Tc) | 4.7A (Tc) | 4.7A (Tc) | 4.7A (Tc) | 4.7A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 50mOhm @ 3A, 4.5V | 50mOhm @ 3A, 4.5V | 50mOhm @ 3A, 4.5V | 50mOhm @ 3A, 4.5V | 50mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 800mV @ 250µA | 800mV @ 250µA | 800mV @ 250µA | 800mV @ 250µA | 800mV @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 9.6nC @ 4.5V | 9.6nC @ 4.5V | 9.6nC @ 4.5V | 9.6nC @ 4.5V | 9.6nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1230pF @ 10V | 1230pF @ 10V | 1230pF @ 10V | 1230pF @ 10V | 1230pF @ 10V |
| Power-Max | 620mW | 620mW | 620mW | 620mW | 620mW |
| OperatingTemperature | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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TSM500P02DCQ RFG Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "TSM500P02DCQ RFG" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. TSM500P02DCQ RFG.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
-
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