+86 075582561136
Subir BOM
Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3
- Número de parte
- SIRC04DP-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- PowerPAK® SO-8
- Ficha técnica
-
SIRC04DP-T1-GE3.pdf
- Descripción
- MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de SIRC04DP-T1-GE3 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
- Cantidad
Precio unitario$0
Precio total$0
- Pago
- Envío
¿Para qué aplicaciones es adecuado SIRC04DP-T1-GE3?
SIRC04DP-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar SIRC04DP-T1-GE3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para SIRC04DP-T1-GE3Descripción del producto
SIRC04DP-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: SIRC04DP-T1-GE3
- Fabricante: Vishay Siliconix
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: PowerPAK® SO-8
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
SIRC04DP-T1-GE3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para SIRC04DP-T1-GE3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET® Gen IV
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:60A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:2.45mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.1V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:56 nC @ 10 V
- Vgs(Max):+20V, -16V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2850 pF @ 15 V
- FETFeature:Schottky Diode (Body)
- PowerDissipation(Max):50W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
SIRC04DP-T1-GE3 - Preguntas frecuentes
SIRC04DP-T1-GE3 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 1028. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para SIRC04DP-T1-GE3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. SIRC04DP-T1-GE3 de Vishay Siliconix se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para SIRC04DP-T1-GE3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
 |
|
 |
 |
| Número de parte | SIRA28BDP-T1-GE3 | SIA468DJ-T1-GE3 | SIRA26DP-T1-RE3 | SIRA64DP-T1-RE3 | SIR186LDP-T1-RE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 2.45mOhm @ 15A, 10V | 2.45mOhm @ 15A, 10V | 2.45mOhm @ 15A, 10V | 2.45mOhm @ 15A, 10V | 2.45mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.1V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | +20V, -16V | +20V, -16V | +20V, -16V | +20V, -16V | +20V, -16V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2850 pF @ 15 V | 2850 pF @ 15 V | 2850 pF @ 15 V | 2850 pF @ 15 V | 2850 pF @ 15 V |
| FETFeature | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) |
| PowerDissipation(Max) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
SIRC04DP-T1-GE3 Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "SIRC04DP-T1-GE3" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. SIRC04DP-T1-GE3.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
Las siguientes partes son las más buscadas en: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos.
Por favor, envíe una RFQ.
Por favor, envíe una RFQ. Responderemos de inmediato.
-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
- 1500+ Promedio diario de RFQ
- 20,000.000 Unidad estándar de producto
- 1800+ Fabricantes en todo el mundo
- 15,000+ Almacén en inventario
