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Infineon Technologies SI3443DV

Name: SI3443DV
Brand: Infineon Technologies
SKU: SI3443DV
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: SI3443DV

Fabricante: Infineon Technologies

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: Micro6™(TSOP-6)

Ficha técnica: SI3443DV.pdf

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de SI3443DV ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado SI3443DV?

SI3443DV es un producto de Infineon Technologies dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar SI3443DV, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

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Descripción del producto

SI3443DV es un producto de Infineon Technologies en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: SI3443DV
Fabricante: Infineon Technologies
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: Micro6™(TSOP-6)
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

SI3443DV puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para SI3443DV, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
HEXFET®
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
P-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
4.4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs:
65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id:
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max):
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1079 pF @ 10 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
2W (Ta)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
SI3443DV.pdf

SI3443DV - Preguntas frecuentes

¿SI3443DV está actualmente en stock?▼

SI3443DV aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2640. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para SI3443DV?▼

La cantidad mínima de pedido para SI3443DV es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿SI3443DV es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. SI3443DV de Infineon Technologies se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para SI3443DV?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para SI3443DV?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para SI3443DV. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	IRL1404PBF-INF	IRF3808PBF	IRF3415STRR	IRF3515STRL	IRF3515STRR
Fabricante	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
FETType	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4.4A (Ta)	4.4A (Ta)	4.4A (Ta)	4.4A (Ta)	4.4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs	65mOhm @ 4.4A, 4.5V	65mOhm @ 4.4A, 4.5V	65mOhm @ 4.4A, 4.5V	65mOhm @ 4.4A, 4.5V	65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	15 nC @ 4.5 V	15 nC @ 4.5 V	15 nC @ 4.5 V	15 nC @ 4.5 V	15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±12V	±12V	±12V	±12V	±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1079 pF @ 10 V	1079 pF @ 10 V	1079 pF @ 10 V	1079 pF @ 10 V	1079 pF @ 10 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	2W (Ta)	2W (Ta)	2W (Ta)	2W (Ta)	2W (Ta)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount