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Vishay Siliconix SI3434DV-T1-GE3

Name: SI3434DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3434DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: SI3434DV-T1-GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: 6-TSOP

Ficha técnica: SI3434DV-T1-GE3.pdf

Descripción: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado SI3434DV-T1-GE3?

SI3434DV-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar SI3434DV-T1-GE3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para SI3434DV-T1-GE3

Descripción del producto

SI3434DV-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: SI3434DV-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: 6-TSOP
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

SI3434DV-T1-GE3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para SI3434DV-T1-GE3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR)
Series:
TrenchFET®
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
4.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs:
34mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id:
600mV @ 1mA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
12 nC @ 4.5 V
Vgs(Max):
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
-
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
1.14W (Ta)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
SI3434DV-T1-GE3.pdf

SI3434DV-T1-GE3 - Preguntas frecuentes

¿SI3434DV-T1-GE3 está actualmente en stock?▼

SI3434DV-T1-GE3 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2135. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para SI3434DV-T1-GE3?▼

La cantidad mínima de pedido para SI3434DV-T1-GE3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿SI3434DV-T1-GE3 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. SI3434DV-T1-GE3 de Vishay Siliconix se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para SI3434DV-T1-GE3?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para SI3434DV-T1-GE3?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para SI3434DV-T1-GE3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	SI8447DB-T2-E1	SI8465DB-T2-E1	SI8824EDB-T2-E1	SI2303CDS-T1-BE3	SI1032X-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Series	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4.6A (Ta)	4.6A (Ta)	4.6A (Ta)	4.6A (Ta)	4.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs	34mOhm @ 6.1A, 4.5V	34mOhm @ 6.1A, 4.5V	34mOhm @ 6.1A, 4.5V	34mOhm @ 6.1A, 4.5V	34mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id	600mV @ 1mA (Min)	600mV @ 1mA (Min)	600mV @ 1mA (Min)	600mV @ 1mA (Min)	600mV @ 1mA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	12 nC @ 4.5 V	12 nC @ 4.5 V	12 nC @ 4.5 V	12 nC @ 4.5 V	12 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±12V	±12V	±12V	±12V	±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	-	-	-	-	-
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	1.14W (Ta)	1.14W (Ta)	1.14W (Ta)	1.14W (Ta)	1.14W (Ta)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount