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Vishay Siliconix SI2399DS-T1-GE3
- Número de parte
- SI2399DS-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- SOT-23-3 (TO-236)
- Ficha técnica
-
SI2399DS-T1-GE3.pdf
- Descripción
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de SI2399DS-T1-GE3 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado SI2399DS-T1-GE3?
SI2399DS-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar SI2399DS-T1-GE3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para SI2399DS-T1-GE3Descripción del producto
SI2399DS-T1-GE3 es un producto de Vishay Siliconix en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: SI2399DS-T1-GE3
- Fabricante: Vishay Siliconix
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: SOT-23-3 (TO-236)
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
SI2399DS-T1-GE3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para SI2399DS-T1-GE3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:P-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:6A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):2.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:34mOhm @ 5.1A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:1.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:20 nC @ 4.5 V
- Vgs(Max):±12V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:835 pF @ 10 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):2.5W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
SI2399DS-T1-GE3 - Preguntas frecuentes
SI2399DS-T1-GE3 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3328. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para SI2399DS-T1-GE3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. SI2399DS-T1-GE3 de Vishay Siliconix se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para SI2399DS-T1-GE3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | SI8447DB-T2-E1 | SI8465DB-T2-E1 | SI8824EDB-T2-E1 | SI2303CDS-T1-BE3 | SI1032X-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 6A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 2.5V, 10V | 2.5V, 10V | 2.5V, 10V | 2.5V, 10V | 2.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 34mOhm @ 5.1A, 10V | 34mOhm @ 5.1A, 10V | 34mOhm @ 5.1A, 10V | 34mOhm @ 5.1A, 10V | 34mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 20 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 835 pF @ 10 V | 835 pF @ 10 V | 835 pF @ 10 V | 835 pF @ 10 V | 835 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 2.5W (Tc) | 2.5W (Tc) | 2.5W (Tc) | 2.5W (Tc) | 2.5W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
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- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
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SIHP18N50C-E3
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STP24N60M6
STMicroelectronics
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