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NXP USA Inc. PMDPB42UN,115
- Número de parte
- PMDPB42UN,115
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 6-UDFN Exposed Pad
- Ficha técnica
-
PMDPB42UN,115.pdf
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de PMDPB42UN,115 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado PMDPB42UN,115?
PMDPB42UN,115 es un producto de NXP USA Inc. dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar PMDPB42UN,115, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para PMDPB42UN,115Descripción del producto
PMDPB42UN,115 es un producto de NXP USA Inc. en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: PMDPB42UN,115
- Fabricante: NXP USA Inc.
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 6-UDFN Exposed Pad
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
PMDPB42UN,115 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para PMDPB42UN,115, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:3.9A
- RdsOn(Max)@IdVgs:50mOhm @ 3.9A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:3.5nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:185pF @ 10V
- Power-Max:510mW
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
PMDPB42UN,115 - Preguntas frecuentes
PMDPB42UN,115 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2737. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para PMDPB42UN,115 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. PMDPB42UN,115 de NXP USA Inc. se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para PMDPB42UN,115. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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|
| Número de parte | PMDPB70EN,115 | BUK9K13-60EX | BUK7K134-100EX | BUK9K5R1-30EX | BUK7K35-60EX |
| Fabricante | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.9A | 3.9A | 3.9A | 3.9A | 3.9A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.5nC @ 4.5V | 3.5nC @ 4.5V | 3.5nC @ 4.5V | 3.5nC @ 4.5V | 3.5nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 185pF @ 10V | 185pF @ 10V | 185pF @ 10V | 185pF @ 10V | 185pF @ 10V |
| Power-Max | 510mW | 510mW | 510mW | 510mW | 510mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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PMDPB42UN,115 Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "PMDPB42UN,115" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. PMDPB42UN,115.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
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