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PN Junction Semiconductor P3M173K0F3

Name: P3M173K0F3
Brand: PN Junction Semiconductor
SKU: P3M173K0F3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: P3M173K0F3

Fabricante: PN Junction Semiconductor

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: TO-220F-2L

Ficha técnica: P3M173K0F3.pdf

Descripción: SICFET N-CH 1700V 1.97A TO-220F-

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado P3M173K0F3?

P3M173K0F3 es un producto de PN Junction Semiconductor dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar P3M173K0F3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

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Descripción del producto

P3M173K0F3 es un producto de PN Junction Semiconductor en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: SICFET N-CH 1700V 1.97A TO-220F-. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: P3M173K0F3
Fabricante: PN Junction Semiconductor
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: TO-220F-2L
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

P3M173K0F3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para P3M173K0F3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
P3M
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
1.97A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
15V
RdsOn(Max)@IdVgs:
3.6Ohm @ 0.25A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id:
2.2V @ 1.5mA (Typ)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
-
Vgs(Max):
+19V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
-
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
19W
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
P3M173K0F3.pdf

P3M173K0F3 - Preguntas frecuentes

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La cantidad mínima de pedido para P3M173K0F3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿P3M173K0F3 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. P3M173K0F3 de PN Junction Semiconductor se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para P3M173K0F3?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para P3M173K0F3?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para P3M173K0F3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	P3M171K0K3	P3M06120K3	P3M06120K4	P3M06060T3	P3M06060K3
Fabricante	PN Junction Semiconductor	PN Junction Semiconductor	PN Junction Semiconductor	PN Junction Semiconductor	PN Junction Semiconductor
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	P3M	P3M	P3M	P3M	P3M
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1700 V	1700 V	1700 V	1700 V	1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	1.97A	1.97A	1.97A	1.97A	1.97A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	15V	15V	15V	15V	15V
RdsOn(Max)@IdVgs	3.6Ohm @ 0.25A, 15V	3.6Ohm @ 0.25A, 15V	3.6Ohm @ 0.25A, 15V	3.6Ohm @ 0.25A, 15V	3.6Ohm @ 0.25A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id	2.2V @ 1.5mA (Typ)	2.2V @ 1.5mA (Typ)	2.2V @ 1.5mA (Typ)	2.2V @ 1.5mA (Typ)	2.2V @ 1.5mA (Typ)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	-	-	-	-	-
Vgs(Max)	+19V, -8V	+19V, -8V	+19V, -8V	+19V, -8V	+19V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	-	-	-	-	-
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	19W	19W	19W	19W	19W
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole