NVH4L080N120SC1.pdf
La información de producto de NVH4L080N120SC1 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
Precio unitario$0
Precio total$0


NVH4L080N120SC1 es un producto de onsemi dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar NVH4L080N120SC1, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para NVH4L080N120SC1NVH4L080N120SC1 es un producto de onsemi en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
NVH4L080N120SC1 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para NVH4L080N120SC1, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
NVH4L080N120SC1 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3775. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para NVH4L080N120SC1 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. NVH4L080N120SC1 de onsemi se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para NVH4L080N120SC1. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|
| Número de parte | NVMS5P02R2G | NVMTS0D7N04CLTXG | NVD4806NT4G-VF01 | NVR5198NLT1G | NVR5124PLT1G |
| Fabricante | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 29A (Tc) | 29A (Tc) | 29A (Tc) | 29A (Tc) | 29A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 110mOhm @ 20A, 20V | 110mOhm @ 20A, 20V | 110mOhm @ 20A, 20V | 110mOhm @ 20A, 20V | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.3V @ 5mA | 4.3V @ 5mA | 4.3V @ 5mA | 4.3V @ 5mA | 4.3V @ 5mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 56 nC @ 20 V | 56 nC @ 20 V | 56 nC @ 20 V | 56 nC @ 20 V | 56 nC @ 20 V |
| Vgs(Max) | +25V, -15V | +25V, -15V | +25V, -15V | +25V, -15V | +25V, -15V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1670 pF @ 800 V | 1670 pF @ 800 V | 1670 pF @ 800 V | 1670 pF @ 800 V | 1670 pF @ 800 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 170mW (Tc) | 170mW (Tc) | 170mW (Tc) | 170mW (Tc) | 170mW (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Por favor, envíe una RFQ. Responderemos de inmediato.

STMicroelectronics

Toshiba Semiconductor and Storage

Vishay Siliconix

onsemi
Vishay Siliconix
STMicroelectronics