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Microchip Technology MSCSM120DDUM16TBL3NG
- Número de parte
- MSCSM120DDUM16TBL3NG
- Fabricante
- Microchip Technology
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- Module
- Ficha técnica
MSCSM120DDUM16TBL3NG.pdf
- Descripción
- PM-MOSFET-SIC-BL3
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
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¿Para qué aplicaciones es adecuado MSCSM120DDUM16TBL3NG?
MSCSM120DDUM16TBL3NG es un producto de Microchip Technology dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar MSCSM120DDUM16TBL3NG, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para MSCSM120DDUM16TBL3NGDescripción del producto
MSCSM120DDUM16TBL3NG es un producto de Microchip Technology en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: PM-MOSFET-SIC-BL3. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: MSCSM120DDUM16TBL3NG
- Fabricante: Microchip Technology
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: Module
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
MSCSM120DDUM16TBL3NG puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para MSCSM120DDUM16TBL3NG, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:4 N-Channel, Common Source
- FETFeature:Silicon Carbide (SiC)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):1200V (1.2kV)
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:150A
- RdsOn(Max)@IdVgs:16mOhm @ 80A, 20V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.8V @ 6mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:464nC @ 20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:6040pF @ 1000V
- Power-Max:560W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Chassis Mount
- Categoría:
- Ficha técnicaMSCSM120DDUM16TBL3NG.pdf
MSCSM120DDUM16TBL3NG - Preguntas frecuentes
MSCSM120DDUM16TBL3NG aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2868. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para MSCSM120DDUM16TBL3NG es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. MSCSM120DDUM16TBL3NG de Microchip Technology se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para MSCSM120DDUM16TBL3NG. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | APTM20AM04FG | TC2320TG-G | MSCSM120AM08CT3AG | APTM50HM65FT3G | APTM50AM38STG |
| Fabricante | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 4 N-Channel, Common Source | 4 N-Channel, Common Source | 4 N-Channel, Common Source | 4 N-Channel, Common Source | 4 N-Channel, Common Source |
| FETFeature | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 150A | 150A | 150A | 150A | 150A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 16mOhm @ 80A, 20V | 16mOhm @ 80A, 20V | 16mOhm @ 80A, 20V | 16mOhm @ 80A, 20V | 16mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.8V @ 6mA | 2.8V @ 6mA | 2.8V @ 6mA | 2.8V @ 6mA | 2.8V @ 6mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 464nC @ 20V | 464nC @ 20V | 464nC @ 20V | 464nC @ 20V | 464nC @ 20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 6040pF @ 1000V | 6040pF @ 1000V | 6040pF @ 1000V | 6040pF @ 1000V | 6040pF @ 1000V |
| Power-Max | 560W | 560W | 560W | 560W | 560W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
MSCSM120DDUM16TBL3NG Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "MSCSM120DDUM16TBL3NG" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. MSCSM120DDUM16TBL3NG.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Las siguientes partes son las más buscadas en: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos.
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EPC2106
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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