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IXYS IXTP3N120

Name: IXTP3N120
Brand: IXYS
SKU: IXTP3N120
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: IXTP3N120

Fabricante: IXYS

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: TO-220-3

Ficha técnica: IXTP3N120.pdf

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de IXTP3N120 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado IXTP3N120?

IXTP3N120 es un producto de IXYS dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar IXTP3N120, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para IXTP3N120

Descripción del producto

IXTP3N120 es un producto de IXYS en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: IXTP3N120
Fabricante: IXYS
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: TO-220-3
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

IXTP3N120 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para IXTP3N120, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Tube
Series:
HiPerFET™
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
42 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1350 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
200W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
IXTP3N120.pdf

IXTP3N120 - Preguntas frecuentes

¿IXTP3N120 está actualmente en stock?▼

IXTP3N120 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2030. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para IXTP3N120?▼

La cantidad mínima de pedido para IXTP3N120 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿IXTP3N120 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. IXTP3N120 de IXYS se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para IXTP3N120?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para IXTP3N120?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para IXTP3N120. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	VMO550-01F	IXFX180N07	IXFR34N80	IXFK44N60	IXFR12N100
Fabricante	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	HiPerFET™	HiPerFET™	HiPerFET™	HiPerFET™	HiPerFET™
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	3A (Tc)	3A (Tc)	3A (Tc)	3A (Tc)	3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	4.5Ohm @ 500mA, 10V	4.5Ohm @ 500mA, 10V	4.5Ohm @ 500mA, 10V	4.5Ohm @ 500mA, 10V	4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	42 nC @ 10 V	42 nC @ 10 V	42 nC @ 10 V	42 nC @ 10 V	42 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1350 pF @ 25 V	1350 pF @ 25 V	1350 pF @ 25 V	1350 pF @ 25 V	1350 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	200W (Tc)	200W (Tc)	200W (Tc)	200W (Tc)	200W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole