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IXYS IXTF6N200P3

Name: IXTF6N200P3
Brand: IXYS
SKU: IXTF6N200P3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: IXTF6N200P3

Fabricante: IXYS

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: ISOPLUS i4-PAC™

Ficha técnica: IXTF6N200P3.pdf

Descripción: MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de IXTF6N200P3 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado IXTF6N200P3?

IXTF6N200P3 es un producto de IXYS dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar IXTF6N200P3, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para IXTF6N200P3

Descripción del producto

IXTF6N200P3 es un producto de IXYS en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: IXTF6N200P3
Fabricante: IXYS
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: ISOPLUS i4-PAC™
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

IXTF6N200P3 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para IXTF6N200P3, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Tube
Series:
Polar P3™
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
2000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
4.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
143 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
3700 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
215W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
IXTF6N200P3.pdf

IXTF6N200P3 - Preguntas frecuentes

¿IXTF6N200P3 está actualmente en stock?▼

IXTF6N200P3 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3358. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para IXTF6N200P3?▼

La cantidad mínima de pedido para IXTF6N200P3 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿IXTF6N200P3 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. IXTF6N200P3 de IXYS se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para IXTF6N200P3?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para IXTF6N200P3?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para IXTF6N200P3. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	IXTT2N300P3HV	IXTH1N300P3HV	IXTT3N200P3HV	IXTA1N200P3HV	IXTH1N200P3
Fabricante	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	Polar P3™	Polar P3™	Polar P3™	Polar P3™	Polar P3™
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	2000 V	2000 V	2000 V	2000 V	2000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4A (Tc)	4A (Tc)	4A (Tc)	4A (Tc)	4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	4.2Ohm @ 3A, 10V	4.2Ohm @ 3A, 10V	4.2Ohm @ 3A, 10V	4.2Ohm @ 3A, 10V	4.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	143 nC @ 10 V	143 nC @ 10 V	143 nC @ 10 V	143 nC @ 10 V	143 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	3700 pF @ 25 V	3700 pF @ 25 V	3700 pF @ 25 V	3700 pF @ 25 V	3700 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	215W (Tc)	215W (Tc)	215W (Tc)	215W (Tc)	215W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole