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IXYS IXTA08N100P

Name: IXTA08N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTA08N100P
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: IXTA08N100P

Fabricante: IXYS

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: TO-263AA

Ficha técnica: IXTA08N100P.pdf

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de IXTA08N100P ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado IXTA08N100P?

IXTA08N100P es un producto de IXYS dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar IXTA08N100P, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para IXTA08N100P

Descripción del producto

IXTA08N100P es un producto de IXYS en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: IXTA08N100P
Fabricante: IXYS
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: TO-263AA
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

IXTA08N100P puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para IXTA08N100P, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
Polar
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
800mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
11.3 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
240 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
42W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
IXTA08N100P.pdf

IXTA08N100P - Preguntas frecuentes

¿IXTA08N100P está actualmente en stock?▼

IXTA08N100P aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2735. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para IXTA08N100P?▼

La cantidad mínima de pedido para IXTA08N100P es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿IXTA08N100P es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. IXTA08N100P de IXYS se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para IXTA08N100P?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para IXTA08N100P?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para IXTA08N100P. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	IXTP12N50P	IXTK82N25P	IXTP1N100P	IXTP08N100P	IXTH30N50P
Fabricante	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	Polar	Polar	Polar	Polar	Polar
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	800mA (Tc)	800mA (Tc)	800mA (Tc)	800mA (Tc)	800mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 50µA	4V @ 50µA	4V @ 50µA	4V @ 50µA	4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	42W (Tc)	42W (Tc)	42W (Tc)	42W (Tc)	42W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount