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Harris Corporation IRFD313

Name: IRFD313
Brand: Harris Corporation
SKU: IRFD313
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: IRFD313

Fabricante: Harris Corporation

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: 4-DIP, Hexdip

Ficha técnica: IRFD313.pdf

Descripción: N-CHANNEL POWER MOSFET

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de IRFD313 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado IRFD313?

IRFD313 es un producto de Harris Corporation dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar IRFD313, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para IRFD313

Descripción del producto

IRFD313 es un producto de Harris Corporation en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: N-CHANNEL POWER MOSFET. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: IRFD313
Fabricante: Harris Corporation
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: 4-DIP, Hexdip
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

IRFD313 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para IRFD313, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

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Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
350 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
300mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
7.5 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
135 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
1W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
IRFD313.pdf

IRFD313 - Preguntas frecuentes

¿IRFD313 está actualmente en stock?▼

IRFD313 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 900. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para IRFD313?▼

La cantidad mínima de pedido para IRFD313 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿IRFD313 es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. IRFD313 de Harris Corporation se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para IRFD313?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para IRFD313?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para IRFD313. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	RFP2P08	RFP2N08	RFP2N10	RFD4N06L	RFP8P06LE
Fabricante	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	350 V	350 V	350 V	350 V	350 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	300mA (Tc)	300mA (Tc)	300mA (Tc)	300mA (Tc)	300mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	5Ohm @ 200mA, 10V	5Ohm @ 200mA, 10V	5Ohm @ 200mA, 10V	5Ohm @ 200mA, 10V	5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	7.5 nC @ 10 V	7.5 nC @ 10 V	7.5 nC @ 10 V	7.5 nC @ 10 V	7.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	135 pF @ 25 V	135 pF @ 25 V	135 pF @ 25 V	135 pF @ 25 V	135 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	1W (Tc)	1W (Tc)	1W (Tc)	1W (Tc)	1W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole