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Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1
- Número de parte
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 8-PowerVDFN
- Ficha técnica
-
IPG20N10S4L22AATMA1.pdf
- Descripción
- MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de IPG20N10S4L22AATMA1 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado IPG20N10S4L22AATMA1?
IPG20N10S4L22AATMA1 es un producto de Infineon Technologies dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar IPG20N10S4L22AATMA1, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para IPG20N10S4L22AATMA1Descripción del producto
IPG20N10S4L22AATMA1 es un producto de Infineon Technologies en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricante: Infineon Technologies
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 8-PowerVDFN
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
IPG20N10S4L22AATMA1 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para IPG20N10S4L22AATMA1, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:OptiMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:20A
- RdsOn(Max)@IdVgs:22mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.1V @ 25µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:27nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1755pF @ 25V
- Power-Max:60W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount, Wettable Flank
- Categoría:
- Ficha técnica
IPG20N10S4L22AATMA1 - Preguntas frecuentes
IPG20N10S4L22AATMA1 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3443. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para IPG20N10S4L22AATMA1 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. IPG20N10S4L22AATMA1 de Infineon Technologies se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para IPG20N10S4L22AATMA1. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | 2N7002DWH6327XTSA1 | BSD840NH6327XTSA1 | BSG0811NDATMA1 | BSC0924NDIATMA1 | BSC0921NDIATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V | 100V | 100V | 100V | 100V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 20A | 20A | 20A | 20A | 20A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 22mOhm @ 17A, 10V | 22mOhm @ 17A, 10V | 22mOhm @ 17A, 10V | 22mOhm @ 17A, 10V | 22mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.1V @ 25µA | 2.1V @ 25µA | 2.1V @ 25µA | 2.1V @ 25µA | 2.1V @ 25µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1755pF @ 25V | 1755pF @ 25V | 1755pF @ 25V | 1755pF @ 25V | 1755pF @ 25V |
| Power-Max | 60W | 60W | 60W | 60W | 60W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
IPG20N10S4L22AATMA1 Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "IPG20N10S4L22AATMA1" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. IPG20N10S4L22AATMA1.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
-
2N7002DW-TP
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IRF7324TRPBF
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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