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Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1
- Número de parte
- IPB027N10N5ATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- PG-TO263-3
- Ficha técnica
-
IPB027N10N5ATMA1.pdf
- Descripción
- MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de IPB027N10N5ATMA1 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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Precio unitario$0
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- Envío
¿Para qué aplicaciones es adecuado IPB027N10N5ATMA1?
IPB027N10N5ATMA1 es un producto de Infineon Technologies dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar IPB027N10N5ATMA1, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para IPB027N10N5ATMA1Descripción del producto
IPB027N10N5ATMA1 es un producto de Infineon Technologies en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: IPB027N10N5ATMA1
- Fabricante: Infineon Technologies
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: PG-TO263-3
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
IPB027N10N5ATMA1 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para IPB027N10N5ATMA1, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
- Series:OptiMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:120A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):6V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:2.7mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:3.8V @ 184µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:139 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:10300 pF @ 50 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):250W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
IPB027N10N5ATMA1 - Preguntas frecuentes
IPB027N10N5ATMA1 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3226. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para IPB027N10N5ATMA1 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. IPB027N10N5ATMA1 de Infineon Technologies se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para IPB027N10N5ATMA1. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | IPP065N04NG | BSF083N03LQG | IPP230N06L3G | BSB053N03LPG | SPP80N06S209 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.8V @ 184µA | 3.8V @ 184µA | 3.8V @ 184µA | 3.8V @ 184µA | 3.8V @ 184µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 139 nC @ 10 V | 139 nC @ 10 V | 139 nC @ 10 V | 139 nC @ 10 V | 139 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 10300 pF @ 50 V | 10300 pF @ 50 V | 10300 pF @ 50 V | 10300 pF @ 50 V | 10300 pF @ 50 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
IPB027N10N5ATMA1 Información relevante
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- Número de parte
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STF18N65M2
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TK65A10N1,S4X
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SIHP17N80AE-GE3
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FCPF9N60NT
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SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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