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Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E

Name: HSG1002VE-TL-E
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: HSG1002VE-TL-E
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: HSG1002VE-TL-E

Fabricante: Renesas Electronics America Inc

Categoría:: Transistores - Bipolares (BJT) - RF

Paquete: 4-SMD, Gull Wing

Ficha técnica: HSG1002VE-TL-E.pdf

Descripción: RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado HSG1002VE-TL-E?

HSG1002VE-TL-E es un producto de Renesas Electronics America Inc dentro de la categoría Transistores - Bipolares (BJT) - RF. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar HSG1002VE-TL-E, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para HSG1002VE-TL-E

Descripción del producto

HSG1002VE-TL-E es un producto de Renesas Electronics America Inc en la categoría Transistores - Bipolares (BJT) - RF. La descripción es: RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: HSG1002VE-TL-E
Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Categoría: Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Encapsulado: 4-SMD, Gull Wing
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

HSG1002VE-TL-E puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para HSG1002VE-TL-E, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
TransistorType:
NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
3.5V
Frequency-Transition:
38GHz
NoiseFigure(dBTyp@f):
0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Gain:
8dB ~ 19.5dB
Power-Max:
200mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:
100 @ 5mA, 2V
Current-Collector(Ic)(Max):
35mA
OperatingTemperature:
-
MountingType:
Surface Mount
Categoría:
Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Ficha técnica
HSG1002VE-TL-E.pdf

HSG1002VE-TL-E - Preguntas frecuentes

¿HSG1002VE-TL-E está actualmente en stock?▼

HSG1002VE-TL-E aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2764. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para HSG1002VE-TL-E?▼

La cantidad mínima de pedido para HSG1002VE-TL-E es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿HSG1002VE-TL-E es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. HSG1002VE-TL-E de Renesas Electronics America Inc se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para HSG1002VE-TL-E?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para HSG1002VE-TL-E?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para HSG1002VE-TL-E. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	HFA3096BZ96	HFA3134IHZ96	2SC5013-T1-A	2SC5008-T1-A	2SC5751-T2-A
Fabricante	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
TransistorType	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	3.5V	3.5V	3.5V	3.5V	3.5V
Frequency-Transition	38GHz	38GHz	38GHz	38GHz	38GHz
NoiseFigure(dBTyp@f)	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Gain	8dB ~ 19.5dB	8dB ~ 19.5dB	8dB ~ 19.5dB	8dB ~ 19.5dB	8dB ~ 19.5dB
Power-Max	200mW	200mW	200mW	200mW	200mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce	100 @ 5mA, 2V	100 @ 5mA, 2V	100 @ 5mA, 2V	100 @ 5mA, 2V	100 @ 5mA, 2V
Current-Collector(Ic)(Max)	35mA	35mA	35mA	35mA	35mA
OperatingTemperature	-	-	-	-	-
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount