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GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D
- Número de parte
- G3R160MT17D
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- TO-247-3
- Ficha técnica
-
G3R160MT17D.pdf
- Descripción
- SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de G3R160MT17D ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado G3R160MT17D?
G3R160MT17D es un producto de GeneSiC Semiconductor dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar G3R160MT17D, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para G3R160MT17DDescripción del producto
G3R160MT17D es un producto de GeneSiC Semiconductor en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: G3R160MT17D
- Fabricante: GeneSiC Semiconductor
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: TO-247-3
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
G3R160MT17D puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para G3R160MT17D, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Tube
- Series:G3R™
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):1700 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:21A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):15V
- RdsOn(Max)@IdVgs:208mOhm @ 12A, 15V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.7V @ 5mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:51 nC @ 15 V
- Vgs(Max):±15V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1272 pF @ 1000 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):175W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Categoría:
- Ficha técnica
G3R160MT17D - Preguntas frecuentes
G3R160MT17D aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 539. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para G3R160MT17D es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. G3R160MT17D de GeneSiC Semiconductor se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para G3R160MT17D. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | G3R350MT12D | G3R160MT12D | G3R75MT12D | G3R60MT07D | G3R60MT07J |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | G3R™ | G3R™ | G3R™ | G3R™ | G3R™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1700 V | 1700 V | 1700 V | 1700 V | 1700 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 21A (Tc) | 21A (Tc) | 21A (Tc) | 21A (Tc) | 21A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 15V | 15V | 15V | 15V | 15V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 208mOhm @ 12A, 15V | 208mOhm @ 12A, 15V | 208mOhm @ 12A, 15V | 208mOhm @ 12A, 15V | 208mOhm @ 12A, 15V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.7V @ 5mA | 2.7V @ 5mA | 2.7V @ 5mA | 2.7V @ 5mA | 2.7V @ 5mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 51 nC @ 15 V | 51 nC @ 15 V | 51 nC @ 15 V | 51 nC @ 15 V | 51 nC @ 15 V |
| Vgs(Max) | ±15V | ±15V | ±15V | ±15V | ±15V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1272 pF @ 1000 V | 1272 pF @ 1000 V | 1272 pF @ 1000 V | 1272 pF @ 1000 V | 1272 pF @ 1000 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 175W (Tc) | 175W (Tc) | 175W (Tc) | 175W (Tc) | 175W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
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G3R160MT17D Información relevante
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