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onsemi FQB2N80TM

Name: FQB2N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQB2N80TM
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número de parte: FQB2N80TM

Fabricante: onsemi

Categoría:: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete: D²PAK (TO-263)

Ficha técnica: FQB2N80TM.pdf

Descripción: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

Revisión de calidad:: ★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC

La información de producto de FQB2N80TM ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.

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🔍¿Para qué aplicaciones es adecuado FQB2N80TM?

FQB2N80TM es un producto de onsemi dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.

Equipos de comunicación y red

Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.

Sistemas automotrices y de control

Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.

Automatización industrial

Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.

Centros de datos y plataformas cloud

Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.

FudongIC ayuda a los clientes a comprar FQB2N80TM, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.

Solicitar cotización y soporte técnico para FQB2N80TM

Descripción del producto

FQB2N80TM es un producto de onsemi en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.

Características principales

Número de parte: FQB2N80TM
Fabricante: onsemi
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Encapsulado: D²PAK (TO-263)
Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen

Áreas de aplicación

FQB2N80TM puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.

Compra y soporte técnico

Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para FQB2N80TM, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.

Productos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR)
Series:
QFET®
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
2.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
15 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
550 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
3.13W (Ta), 85W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoría:
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Ficha técnica
FQB2N80TM.pdf

FQB2N80TM - Preguntas frecuentes

¿FQB2N80TM está actualmente en stock?▼

FQB2N80TM aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2859. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.

¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para FQB2N80TM?▼

La cantidad mínima de pedido para FQB2N80TM es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.

¿FQB2N80TM es original y genuino?▼

FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. FQB2N80TM de onsemi se obtiene mediante canales de suministro fiables.

¿Cuál es el plazo de entrega típico para FQB2N80TM?▼

El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.

¿Hay piezas alternativas o equivalentes para FQB2N80TM?▼

Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para FQB2N80TM. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.

Imagen
Número de parte	FQI7N80TU	FQD4N20TM	FQP3N30	FQPF19N10	FQD3P50TM
Fabricante	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Packaging	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Series	QFET®	QFET®	QFET®	QFET®	QFET®
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	800 V	800 V	800 V	800 V	800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	2.4A (Tc)	2.4A (Tc)	2.4A (Tc)	2.4A (Tc)	2.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	6.3Ohm @ 900mA, 10V	6.3Ohm @ 900mA, 10V	6.3Ohm @ 900mA, 10V	6.3Ohm @ 900mA, 10V	6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±30V	±30V	±30V	±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	550 pF @ 25 V	550 pF @ 25 V	550 pF @ 25 V	550 pF @ 25 V	550 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	3.13W (Ta), 85W (Tc)	3.13W (Ta), 85W (Tc)	3.13W (Ta), 85W (Tc)	3.13W (Ta), 85W (Tc)	3.13W (Ta), 85W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount