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Fairchild Semiconductor FDMD8900
- Número de parte
- FDMD8900
- Fabricante
- Fairchild Semiconductor
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- 12-PowerWDFN
- Ficha técnica
-
FDMD8900.pdf
- Descripción
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de FDMD8900 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
- Cantidad
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- Envío
¿Para qué aplicaciones es adecuado FDMD8900?
FDMD8900 es un producto de Fairchild Semiconductor dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar FDMD8900, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para FDMD8900Descripción del producto
FDMD8900 es un producto de Fairchild Semiconductor en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: FDMD8900
- Fabricante: Fairchild Semiconductor
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: 12-PowerWDFN
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
FDMD8900 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para FDMD8900, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:19A, 17A
- RdsOn(Max)@IdVgs:4mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:35nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2605pF @ 15V
- Power-Max:2.1W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
FDMD8900 - Preguntas frecuentes
FDMD8900 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2091. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para FDMD8900 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. FDMD8900 de Fairchild Semiconductor se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para FDMD8900. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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 |
| Número de parte | SI9926DY | FDG6302P | NDH8302P | FDC6322C | SSD2007ATF |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 19A, 17A | 19A, 17A | 19A, 17A | 19A, 17A | 19A, 17A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V |
| Power-Max | 2.1W | 2.1W | 2.1W | 2.1W | 2.1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
FDMD8900 Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "FDMD8900" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. FDMD8900.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
-
2N7002DW-TP
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DMC2700UDM-7
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SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
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IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
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MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
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BSM300D12P2E001
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2N7002DW-TP
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SSM6N37FU,LF
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