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Fairchild Semiconductor FDB110N15A
- Número de parte
- FDB110N15A
- Fabricante
- Fairchild Semiconductor
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- D²PAK (TO-263)
- Ficha técnica
-
FDB110N15A.pdf
- Descripción
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de FDB110N15A ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado FDB110N15A?
FDB110N15A es un producto de Fairchild Semiconductor dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar FDB110N15A, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para FDB110N15ADescripción del producto
FDB110N15A es un producto de Fairchild Semiconductor en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: FDB110N15A
- Fabricante: Fairchild Semiconductor
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: D²PAK (TO-263)
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
FDB110N15A puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para FDB110N15A, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Bulk
- Series:PowerTrench®
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):150 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:92A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:11mOhm @ 92A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:61 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:4510 pF @ 75 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):234W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
FDB110N15A - Preguntas frecuentes
FDB110N15A aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 2530. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para FDB110N15A es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. FDB110N15A de Fairchild Semiconductor se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para FDB110N15A. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
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| Número de parte | SI3447DV | SI6466DQ | SI6467DQ | FDU6676AS | FDD1600N10ALZD |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 92A (Tc) | 92A (Tc) | 92A (Tc) | 92A (Tc) | 92A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 11mOhm @ 92A, 10V | 11mOhm @ 92A, 10V | 11mOhm @ 92A, 10V | 11mOhm @ 92A, 10V | 11mOhm @ 92A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 61 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 4510 pF @ 75 V | 4510 pF @ 75 V | 4510 pF @ 75 V | 4510 pF @ 75 V | 4510 pF @ 75 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 234W (Tc) | 234W (Tc) | 234W (Tc) | 234W (Tc) | 234W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
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- Dioden – HF(2475)
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