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EPC EPC2106ENGRT
- Número de parte
- EPC2106ENGRT
- Fabricante
- EPC
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Paquete
- Die
- Ficha técnica
-
EPC2106ENGRT.pdf
- Descripción
- GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de EPC2106ENGRT ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
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¿Para qué aplicaciones es adecuado EPC2106ENGRT?
EPC2106ENGRT es un producto de EPC dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar EPC2106ENGRT, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para EPC2106ENGRTDescripción del producto
EPC2106ENGRT es un producto de EPC en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Arreglos. La descripción es: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: EPC2106ENGRT
- Fabricante: EPC
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
- Encapsulado: Die
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
EPC2106ENGRT puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para EPC2106ENGRT, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
Productos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:eGaN®
- ProductStatus:Discontinued at Mosen
- FETType:2 N-Channel (Half Bridge)
- FETFeature:GaNFET (Gallium Nitride)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:1.7A
- RdsOn(Max)@IdVgs:70mOhm @ 2A, 5V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 600µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:0.73nC @ 5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:75pF @ 50V
- Power-Max:-
- OperatingTemperature:-40°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
EPC2106ENGRT - Preguntas frecuentes
EPC2106ENGRT aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 3590. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para EPC2106ENGRT es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. EPC2106ENGRT de EPC se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para EPC2106ENGRT. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
 |
 |
|
 |
| Número de parte | EPC2106 | EPC2110 | EPC2104 | EPC2102 | EPC2107 |
| Fabricante | EPC | EPC | EPC | EPC | EPC |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® |
| ProductStatus | Discontinued at Mosen | Discontinued at Mosen | Discontinued at Mosen | Discontinued at Mosen | Discontinued at Mosen |
| FETType | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FETFeature | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V | 100V | 100V | 100V | 100V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 1.7A | 1.7A | 1.7A | 1.7A | 1.7A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 70mOhm @ 2A, 5V | 70mOhm @ 2A, 5V | 70mOhm @ 2A, 5V | 70mOhm @ 2A, 5V | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 600µA | 2.5V @ 600µA | 2.5V @ 600µA | 2.5V @ 600µA | 2.5V @ 600µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 0.73nC @ 5V | 0.73nC @ 5V | 0.73nC @ 5V | 0.73nC @ 5V | 0.73nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 75pF @ 50V | 75pF @ 50V | 75pF @ 50V | 75pF @ 50V | 75pF @ 50V |
| Power-Max | - | - | - | - | - |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
EPC2106ENGRT Información relevante
Las siguientes partes están incluidas "EPC2106ENGRT" ISSI, soluciones integradas de silicio, Inc. EPC2106ENGRT.
- Número de parte
- Fabricante
- Paquete
- Descripción
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Las siguientes partes son las más buscadas en: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos.
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-
EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
-
BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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