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Diodes Incorporated DMN2011UTS-13
- Número de parte
- DMN2011UTS-13
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Categoría:
- Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Paquete
- 8-TSSOP
- Ficha técnica
-
DMN2011UTS-13.pdf
- Descripción
- MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
- Revisión de calidad:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisado por el equipo QC de FudongIC
La información de producto de DMN2011UTS-13 ha sido revisada según número de parte, fabricante, encapsulado, estado de stock, requisitos de compra y disponibilidad de envío.
- Cantidad
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¿Para qué aplicaciones es adecuado DMN2011UTS-13?
DMN2011UTS-13 es un producto de Diodes Incorporated dentro de la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. Es adecuado para proyectos electrónicos que requieren verificación de parámetros, suministro estable, comparación BOM y soporte de compra.
Equipos de comunicación y red
Adecuado para módulos de comunicación, estaciones base, equipos de red y transmisión de datos industrial.
Sistemas automotrices y de control
Aplicable a electrónica automotriz, módulos de control, sensores y proyectos embebidos con requisitos de parámetros y suministro.
Automatización industrial
Útil para equipos industriales, control de motores, instrumentos de medición, sistemas de automatización y placas electrónicas.
Centros de datos y plataformas cloud
Compatible con servidores, centros de datos, fuentes de alimentación, placas de control y sistemas electrónicos de alta fiabilidad.
FudongIC ayuda a los clientes a comprar DMN2011UTS-13, incluyendo confirmación de stock, precio, comparación BOM y selección técnica.
Solicitar cotización y soporte técnico para DMN2011UTS-13Descripción del producto
DMN2011UTS-13 es un producto de Diodes Incorporated en la categoría Transistores - FET, MOSFET - Sencillos. La descripción es: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP. FudongIC ayuda a los clientes con revisión de datasheet, confirmación de stock, cotización, comparación BOM y selección técnica.
Características principales
- Número de parte: DMN2011UTS-13
- Fabricante: Diodes Incorporated
- Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
- Encapsulado: 8-TSSOP
- Soporte para datasheet, confirmación de stock y cotización
- Adecuado para muestras, pequeñas cantidades y compras en volumen
Áreas de aplicación
DMN2011UTS-13 puede utilizarse en comunicaciones, automatización industrial, electrónica automotriz, centros de datos, sistemas embebidos, energía, control y otros proyectos electrónicos.
Compra y soporte técnico
Si necesita stock, precios por volumen, plazo de entrega, alternativas o documentación técnica para DMN2011UTS-13, envíe una consulta a FudongIC. Nuestro equipo le ayudará según su aplicación, parámetros, encapsulado y cantidad de compra.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:21A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):1.5V, 4.5V
- RdsOn(Max)@IdVgs:11mOhm @ 7A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:56 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±12V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2248 pF @ 10 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):1.3W (Ta)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoría:
- Ficha técnica
DMN2011UTS-13 - Preguntas frecuentes
DMN2011UTS-13 aparece en FudongIC con información actual de stock. El inventario mostrado es 236. Como el inventario cambia con frecuencia, envíe una RFQ para confirmar stock, precio y entrega en tiempo real.
La cantidad mínima de pedido para DMN2011UTS-13 es 1 pieza(s). FudongIC admite muestras, pedidos pequeños y compras en volumen.
FudongIC se centra en suministrar componentes electrónicos originales y genuinos. DMN2011UTS-13 de Diodes Incorporated se obtiene mediante canales de suministro fiables.
El plazo de entrega depende de la ubicación del stock, la cantidad del pedido y el destino. Para stock disponible, podemos organizar envío por DHL, FedEx, UPS u otros servicios exprés.
Según los requisitos de su aplicación, FudongIC puede ayudar a revisar alternativas o equivalentes para DMN2011UTS-13. Envíe especificaciones, cantidad objetivo y detalles de aplicación.
| Imagen |  |
 |
|
 |
 |
| Número de parte | DMP2130LDM-7 | DMP2045U-13 | DMP3130L-7 | DMN3065LW-7 | DMN2011UFDF-7 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 21A (Tc) | 21A (Tc) | 21A (Tc) | 21A (Tc) | 21A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2248 pF @ 10 V | 2248 pF @ 10 V | 2248 pF @ 10 V | 2248 pF @ 10 V | 2248 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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