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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
MRF174 FET RF 65V 150MHZ 211-11 MACOM Technology Solutions	3,336	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	N-Channel	150MHz	11.8dB	28 V	13A	3dB	2 A	125W	65 V
BLC10G27LS-320AVTZ BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD Ampleon USA Inc.	3,587	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	2.5GHz ~ 2.7GHz	16dB	28 V	2.8µA	-	400 mA	320W	65 V
BLC10G19XS-600AVTZ BLC10G19XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP Ampleon USA Inc.	3,551	-	RFQ		Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BLF183XRSU RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B Ampleon USA Inc.	2,927	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	28dB	50 V	-	-	100 mA	350W	135 V
ARF477FL RF PWR MOSFET 500V 10A Microchip Technology	3,571	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	2 N-Channel (Dual) Common Source	65MHz	16dB	150 V	15A	-	-	400W	500 V
CGHV40030F RF MOSFET HEMT 50V 440166 Wolfspeed, Inc.	144	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	0Hz ~ 6GHz	16dB	50 V	4.2A	-	150 mA	30W	125 V
SD2943W TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 STMicroelectronics	2,543	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	N-Channel	30MHz	25dB	50 V	40A	-	250 mA	350W	130 V
CG2H80120D-GP4 120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2 Wolfspeed, Inc.	3,370	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	8GHz	12dB	28 V	28A	-	-	120W	84 V
CGH40045P 45W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P Wolfspeed, Inc.	2,350	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Not For New Designs	HEMT	4GHz	14dB	28 V	-	-	400 mA	45W	84 V
MRFX1K80HR5 RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S NXP USA Inc.	171	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.8MHz ~ 470MHz	24dB	65 V	10µA	-	200 mA	1800W	182 V
BLA9H0912LS-250GU BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	2,632	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	960MHz ~ 1.215GHz	22dB	50 V	1.4µA	-	100 mA	250W	106 V
BLL6H0514-25,112 RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C Ampleon USA Inc.	3,647	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Not For New Designs	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	21dB	50 V	2.5A	-	50 mA	25W	100 V
MRFE6VP61K25HR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 NXP USA Inc.	214	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	24dB	50 V	-	-	100 mA	1250W	133 V
BLS9G3135LS-400U RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B Ampleon USA Inc.	3,336	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	12dB	32 V	4µA	-	400 mA	400W	65 V
ARF1500 MOSFET RF N-CH 500V 60A T1 Microchip Technology	2,158	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	27.12MHz	19dB	125 V	60A	-	-	750W	500 V
ARF1501 MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1 Microchip Technology	2,589	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	27.12MHz	17dB	250 V	30A	-	-	750W	1000 V
CGH25120F 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET Wolfspeed, Inc.	2,092	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Not For New Designs	HEMT	2.3GHz ~ 2.7GHz	12.5dB	28 V	-	-	500 mA	130W	84 V
MMRF5014HR5 FET RF 125V 2.5GHZ NI360 NXP USA Inc.	3,872	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	HEMT	2.5GHz	18dB	50 V	-	-	350 mA	125W	125 V
BLL6H1214-500,112 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A Ampleon USA Inc.	206	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Not For New Designs	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	-	-	150 mA	500W	100 V
CGHV96100F2 RF MOSFET HEMT 40V 440210 Wolfspeed, Inc.	173	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	GaN	Active	HEMT	7.9GHz ~ 9.6GHz	10.2dB	40 V	12A	-	1 A	131W	100 V