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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
MRFE6VP5600HSR5 FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S NXP USA Inc.	2,641	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	25dB	50 V	-	-	100 mA	600W	130 V
A2T23H160-24SR3 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	3,081	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	2.3GHz	17.7dB	28 V	-	-	350 mA	28W	65 V
A3G18H500-04SR3 RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L NXP USA Inc.	3,604	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.805GHz ~ 1.88GHz	15.4dB	48 V	-	-	200 mA	107W	125 V
A2G26H280-04SR3 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	2,777	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3G26H501W17SR3 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	2,026	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A2T18H100-25SR3 FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NXP USA Inc.	2,249	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.81GHz	18.1dB	28 V	-	-	230 mA	18W	65 V
A3T23H450W23SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,894	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRFE8VP8600HR5 TRANS RF N-CH 600W 50V NXP USA Inc.	3,912	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3G26H350W17SR3 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	3,886	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	2.496GHz ~ 2.69GHz	13.3dB	48 V	-	-	250 mA	59W	125 V
MRFE8VP8600HSR5 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS NXP USA Inc.	3,696	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	860MHz	21dB	50 V	20µA	-	1.4 A	140W	115 V
MRF8VP13350NR5 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13 NXP USA Inc.	3,030	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	700MHz ~ 1.3GHz	19.2dB	50 V	10µA	-	100 mA	350W	100 V
MRF8VP13350GNR3 TRANS RF LDMOS 350W 50V NXP USA Inc.	3,726	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.3GHz	19.2dB	50 V	-	-	100 mA	350W	100 V
MRF8VP13350NR3 TRANS RF LDMOS 350W 50V NXP USA Inc.	2,609	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.3GHz	19.2dB	50 V	-	-	100 mA	350W	100 V
MRFE6VP61K25GNR6 TRANS RF LDMOS 1250W 50V NXP USA Inc.	3,642	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	23dB	50 V	-	-	100 mA	1250W	133 V
MMRF1306HR5 RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230 NXP USA Inc.	3,708	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	24dB	50 V	-	-	100 mA	1250W	133 V
MRF13750HSR5 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W NXP USA Inc.	3,905	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	700MHz ~ 1.3GHz	20.4dB	50 V	10µA	-	200 mA	750W	105 V
MRFE6VP61K25GSR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS NXP USA Inc.	2,674	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	230MHz	24dB	50 V	-	-	100 mA	1250W	133 V
AFV09P350-04GNR3 RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780G-4L NXP USA Inc.	3,658	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	920MHz	19.5dB	48 V	-	-	860 mA	100W	105 V
MMRF1308HR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 NXP USA Inc.	2,265	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	25dB	50 V	-	-	100 mA	600W	133 V
MMRF1020-04GNR3 FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G NXP USA Inc.	3,887	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	920MHz	19.5dB	48 V	-	-	860 mA	100W	105 V