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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
A3T21H360W23SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	3,430	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	2.11GHz ~ 2.2GHz	16.4dB	28 V	10µA	-	600 mA	328W	65 V
A2T07D160W04SR3 FET RF 2CH 70V 803MHZ NXP USA Inc.	2,079	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Not For New Designs	LDMOS (Dual)	803MHz	21.5dB	28 V	-	-	450 mA	30W	70 V
A3T18H360W23SR6 1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2 NXP USA Inc.	3,356	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	1.8GHz ~ 1.88GHz	16.6dB	28 V	10µA	-	700 mA	63W	65 V
A2G22S190-01SR3 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	3,129	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3T21H400W23SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	3,577	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A2G22S251-01SR3 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	3,758	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	1.805GHz ~ 2.2GHz	17.7dB	48 V	-	-	200 mA	52dBm	125 V
A3G20S250-01SR3 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	2,124	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3T18H400W23SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	3,013	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.805GHz ~ 1.88GHz	16.8dB	28 V	10µA	-	300 mA	170W	65 V
MMRF1305HSR5 FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4 NXP USA Inc.	2,432	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	512MHz	26dB	50 V	-	-	100 mA	100W	133 V
AFV09P350-04NR3 FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 NXP USA Inc.	2,075	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	920MHz	19.5dB	48 V	-	-	860 mA	100W	105 V
A3T21H455W23SR6 FORECAST ACP1230S-4L2L NXP USA Inc.	2,680	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	2.11GHz ~ 2.2GHz	15dB	30 V	10µA	-	400 mA	87W	65 V
A3T21H456W23SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,358	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRFE6VP6600GNR3 TRANS RF LDMOS 600W 50V NXP USA Inc.	2,257	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	24.7dB	50 V	-	-	100 mA	600W	133 V
A2V07H400-04NR3 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,210	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	595MHz ~ 851MHz	19.9dB	48 V	10µA	-	700 mA	267W	105 V
A2T21H100-25SR3 IC RF LDMOS TRANS CELL NXP USA Inc.	2,282	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Active	N-Channel	-	-	-	-	-	-	-	-
A2T09D400-23NR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,777	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	716MHz ~ 960MHz	17.8dB	28 V	10µA	-	1.2 A	400W	70 V
A3T19H455W23SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,870	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.93GHz ~ 1.99GHz	16.4dB	30 V	10µA	-	540 mA	81W	65 V
A5G35S008N-3400 A5G35S008N 3400-3600 MHZ REFEREN NXP USA Inc.	3,231	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	-	3.3GHz ~ 3.8GHz	18.6dB	48 V	-	-	24 mA	27dBm	125 V
A5G35S004N-3400 A5G35S004N 3400-4300 MHZ REFEREN NXP USA Inc.	3,542	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	-	3.3GHz ~ 4.3GHz	16.9dB	48 V	-	-	12 mA	24.5dBm	125 V
MMRF1310HSR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NXP USA Inc.	2,019	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	26.5dB	50 V	-	-	100 mA	300W	133 V