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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
IRFAE32 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	523	-	RFQ		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFAF40 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	934	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BLF544,112 RF FET NCHA 65V 7DB SOT171A Ampleon USA Inc.	2,088	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Obsolete	N-Channel	960MHz	7dB	28 V	3.5A	-	40 mA	20W	65 V
BF909,235 MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 NXP USA Inc.	3,104	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	800MHz	-	5 V	40mA	2dB	15 mA	-	7 V
BF909,215 MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 NXP USA Inc.	3,257	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	800MHz	-	5 V	40mA	2dB	15 mA	-	7 V
BF1212,215 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B NXP USA Inc.	2,975	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	400MHz	30dB	5 V	30mA	0.9dB	12 mA	-	6 V
BF1211WR,115 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R NXP USA Inc.	3,102	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	400MHz	29dB	5 V	30mA	0.9dB	15 mA	-	6 V
IRFAF50 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	644	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFAC50 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier	129	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MWT-PH29F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc.	100	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	pHEMT FET	26GHz	11dB	3 V	330mA	-	1 mA	-	-
MRFG35003ANT1 RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C Freescale Semiconductor	285	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	pHEMT FET	3.55GHz	10.8dB	12 V	-	-	55 mA	3W	15 V
MWT-PH31F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc.	100	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	pHEMT FET	18GHz	13dB	2 V	280mA	-	1 mA	30dBm	-
MWT-PH32F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc.	100	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	pHEMT FET	12GHz	13dB	2 V	360mA	-	1 mA	30.5dB	-
MRFG35003NR5 FET RF 15V 3.55GHZ Freescale Semiconductor	900	-	RFQ		Bulk	-	Active	pHEMT FET	3.55GHz	11.5dB	12 V	-	-	55 mA	3W	15 V
MRF9030MBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	3,715	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	N-Channel	1GHz	20dB	26 V	10µA	-	250 mA	30W	65 V
MWT-3F HIGH POWER GAAS MESFET Microwave Technology Inc.	100	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	MESFET	500MHz ~ 26GHz	11dB	4 V	110mA	-	110 mA	22dBm	6 V
MWT-PH7F MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc.	3,090	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	MESFET	28GHz	16dB	3 V	110mA	-	110 mA	24dBm	-
MWT-PH4F MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc.	100	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	MESFET	28GHz	16dB	3 V	84mA	-	84 mA	22dBm	-
MWT-5F GAAS MESFET Microwave Technology Inc.	100	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	GaAs FET	500MHz ~ 26GHz	19dB	6 V	80mA	3.5dB @ 12GHz	30 mA	-	-
MWT-9F MEDIUM POWER GAAS MESFET Microwave Technology Inc.	3,014	-	RFQ	Ficha técnica	Case	-	Active	MESFET	500MHz ~ 18GHz	8.5dB	4 V	270mA	-	270 mA	26.5dBm	6 V