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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
MRF8S21100HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE NXP USA Inc.	536	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3T19H455W23SR6 1930-1990 MHZ, 81 W AVG., 30 V A NXP USA Inc.	2,513	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF8S18120HSR3 RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE NXP USA Inc.	3,243	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRFE6VP5600HSR5 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P NXP USA Inc.	3,653	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AFT26H250-24SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	438	-	RFQ		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF8S9170NR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- NXP USA Inc.	750	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRFX1K80NR5 RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L NXP USA Inc.	3,029	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	1.8MHz ~ 470MHz	24dB	65 V	-	-	-	1800W	-
A2T21H360-24SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,234	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF5017HSR5 RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S NXP USA Inc.	3,637	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	HEMT	30MHz ~ 2.2GHz	18.4dB	50 V	-	-	200 mA	125W	150 V
MRF6VP11KHR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR NXP USA Inc.	971	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AFV10700HR5 RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4 NXP USA Inc.	2,911	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	1.03GHz ~ 1.09GHz	19.2dB	50 V	1µA	-	100 mA	770W	105 V
BLA6H0912-500112 BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS R NXP USA Inc.	2,264	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Not For New Designs	LDMOS	960MHz ~ 1.22GHz	17dB	50 V	54A	-	100 mA	450W	100 V
BF1212WR,115 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R NXP USA Inc.	3,631	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	400MHz	30dB	5 V	30mA	0.9dB	12 mA	-	6 V
MRF300BN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	2,093	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	LDMOS	27MHz ~ 250MHz	18.7dB	50 V	-	-	-	300W	-
BF909,235 MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 NXP USA Inc.	3,104	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	800MHz	-	5 V	40mA	2dB	15 mA	-	7 V
BF909,215 MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 NXP USA Inc.	3,257	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	800MHz	-	5 V	40mA	2dB	15 mA	-	7 V
BF1212,215 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B NXP USA Inc.	2,975	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	400MHz	30dB	5 V	30mA	0.9dB	12 mA	-	6 V
BF1211WR,115 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R NXP USA Inc.	3,102	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Obsolete	N-Channel Dual Gate	400MHz	29dB	5 V	30mA	0.9dB	15 mA	-	6 V
BLF6G15L-40BRN,112 RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI NXP USA Inc.	2,710	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.47GHz ~ 1.51GHz	22dB	28 V	11A	-	330 mA	2.5W	65 V
BLF7G24L-100,112 RF TRANSISTOR NXP USA Inc.	3,585	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Obsolete	LDMOS	2.3GHz ~ 2.4GHz	18dB	28 V	28A	-	900 mA	20W	65 V