Induktivitäten in Schaltnetzteilen oder Buck/Boost-Topologien werden typischerweise mit Spannungspulsen angesteuert. Bei konstanter Spannung steigt der Strom linear als Rampe über die Zeit an – je länger die Pulsdauer, desto höher der instantane Strom.
Ipk = V · Ton / L
Beispiel (bei anfangs 0 A): Eine 1-mH-Induktivität mit 10 V für 1 ms ergibt:
Ipk = 10 V · 1 ms / 1 mH = 10 A
Der Strom kann in Induktivitäten also schnell ansteigen.
Da Leistungsinduktivitäten Kernmaterialien zur Erhöhung der Induktivität nutzen, kommt es zur Sättigung, sobald der Strom den Sättigungsstrom (Isat) überschreitet. Der Kern verliert dann seine Permeabilität, die Induktivität bricht ein (wie bei einer Luftspule), und der Strom schießt unkontrolliert hoch – was MOSFETs zerstören kann. Typisches Symptom: Brennende MOSFETs bei induktiven Lasten. Abhilfe: Induktivität mit höherem Isat wählen.
Fragen zur Auslegung im diskontinuierlichen Betrieb (Strom pro Zyklus vollständig entladen):
Voraussetzung: Strom wird pro Zyklus vollständig abgebaut.
Fmin = 1 / (2 · Ton_max)
Ipk = V · Ton / L
Ton_max = Isat · L / V
Irms = Ipk / √3
Vrms = Vpk · √(Tastverhältnis)
P = I · V · √(Tastverhältnis) / √3
Bei 50 % Tastverhältnis:
P = I · V / √6
E = L · I² / 2