Transistores - JFET

Foto: Número de parte del fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Ficha técnica Packaging Series ProductStatus FETType Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) CurrentDrain(Id)-Max Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds Resistance-RDS(On) Power-Max OperatingTemperature MountingType
MMBFJ201_G

MMBFJ201_G

INTEGRATED CIRCUIT

onsemi
2,107 -

RFQ

Bulk - Obsolete N-Channel 40 V - 200 µA @ 20 V - 300 mV @ 10 nA - - 350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
8885_2N5115

8885_2N5115

JFET P-CH

onsemi
2,841 -

RFQ

Bulk - Obsolete - - - - - - - - - - -
2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

JFET N-CH 1MA 125MW CP

onsemi
3,883 -

RFQ

2SK545-11D-TB-E

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Active N-Channel - 40 V 60 µA @ 10 V 1 mA 1.5 V @ 1 µA 1.7pF @ 10V - 125 mW - Surface Mount
5185-2N4392

5185-2N4392

BIPOLAR TRANSISTORS

onsemi
2,894 -

RFQ

Bulk - Obsolete N-Channel 40 V - - - - - 60 Ohms - - Through Hole
5285-MMBFJ201

5285-MMBFJ201

JFET N-CH 40V SOT23

onsemi
2,389 -

RFQ

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel 40 V - 200 µA @ 20 V - 300 mV @ 10 nA - - 350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

JFET NCH 30V 200MW 3CP

onsemi
2,534 -

RFQ

2SK3666-2-TB-E

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
Total 346 Record«Prev1... 1415161718Next»
1500+
1500+ Promedio diario de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidad estándar de producto
1800+
1800+ Fabricantes en todo el mundo
15,000+
15,000+ Almacén en inventario
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

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