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Transistores - FET, MOSFET - RF

Número de parte del fabricante	Disponibilidad	Precio	Cantidad	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
ARF1510 MOSFET RF N-CH 1000V 8A T1 Microchip Technology	3,519	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	40.7MHz	15dB	400 V	8A	-	-	750W	1000 V
MMRF1008HR5 FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 NXP USA Inc.	2,053	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	1.03GHz	20.3dB	50 V	-	-	100 mA	275W	100 V
BLS6G3135-120,112 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A Ampleon USA Inc.	3,731	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Last Time Buy	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	11dB	32 V	7.2A	-	100 mA	120W	60 V
VRF154FL MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Microchip Technology	2,101	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	80MHz	17dB	50 V	4mA	-	800 mA	600W	170 V
GTVA311801FA-V1 180W GAN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHZ Wolfspeed, Inc.	3,310	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	GaN	Active	HEMT	2.7GHz ~ 3.1GHz	15dB	-	-	-	-	180W	50 V
UF28150J MOSFET 150W 28V 100-500MHZ MACOM Technology Solutions	2,249	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	2 N-Channel (Dual)	100MHz ~ 500MHz	8dB	28 V	16A	-	400 mA	150W	65 V
VRF157FL MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Microchip Technology	3,312	-	RFQ	Ficha técnica	Tube	-	Active	N-Channel	80MHz	21dB	50 V	4mA	-	800 mA	600W	170 V
CLF1G0035-200PU RF FET 50V 11DB SOT1228A Ampleon USA Inc.	3,815	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Not For New Designs	GaN HEMT	-	-	-	-	-	-	-	-
CLF1G0035S-200PU RF FET 50V 11DB SOT1228B Ampleon USA Inc.	3,137	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Not For New Designs	GaN HEMT	-	-	-	-	-	-	-	-
BLS6G2731S-130,112 RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 Ampleon USA Inc.	2,240	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	2.7GHz ~ 3.1GHz	12dB	32 V	33A	-	100 mA	130W	60 V
BLS6G2933S-130,112 RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221 Ampleon USA Inc.	3,788	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	2.9GHz ~ 3.3GHz	12.5dB	32 V	33A	-	100 mA	130W	60 V
BLL6H1214P2S-250Z RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE Ampleon USA Inc.	2,221	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Not For New Designs	LDMOS (Dual)	1.2GHz ~ 1.4GHz	27dB	45 V	-	-	200 mA	53dBm	50 V
BLS7G3135LS-200U RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B Ampleon USA Inc.	3,743	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	3.5GHz	12dB	32 V	-	-	100 mA	200W	65 V
PTVA127002EV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-36275-4 Wolfspeed, Inc.	3,787	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	16dB	50 V	10µA	-	150 mA	700W	105 V
BLA6H0912-500,112 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A Ampleon USA Inc.	2,050	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS	960MHz ~ 1.22GHz	17dB	50 V	54A	-	100 mA	450W	100 V
BLA6H1011-600,112 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A Ampleon USA Inc.	3,449	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk,Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.03GHz ~ 1.09GHz	17dB	48 V	72A	-	100 mA	600W	100 V
BLL6H1214LS-500,11 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B Ampleon USA Inc.	3,021	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	-	-	150 mA	500W	100 V
IGT2731M130 GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND Integra Technologies Inc.	2,954	-	RFQ	Ficha técnica	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A3G26D055N-2110 RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22 NXP USA Inc.	3,709	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	GaN	100MHz ~ 2.69GHz	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	8W	125 V
A3G26D055N-1805 RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18 NXP USA Inc.	3,684	-	RFQ	Ficha técnica	Bulk	-	Active	GaN	100MHz ~ 2.69GHz	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	8W	125 V