Transistores - FET, MOSFET - RF

Foto: Número de parte del fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Ficha técnica Packaging Series ProductStatus TransistorType Frequency Gain Voltage-Test CurrentRating(Amps) NoiseFigure Current-Test Power-Output Voltage-Rated
ARF1510

ARF1510

MOSFET RF N-CH 1000V 8A T1

Microchip Technology
3,519 -

RFQ

ARF1510

Ficha técnica

Tube - Active N-Channel 40.7MHz 15dB 400 V 8A - - 750W 1000 V
MMRF1008HR5

MMRF1008HR5

FET RF 100V 1.03GHZ NI-780

NXP USA Inc.
2,053 -

RFQ

MMRF1008HR5

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Active LDMOS 1.03GHz 20.3dB 50 V - - 100 mA 275W 100 V
BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112

RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A

Ampleon USA Inc.
3,731 -

RFQ

BLS6G3135-120,112

Ficha técnica

Tray - Last Time Buy LDMOS 3.1GHz ~ 3.5GHz 11dB 32 V 7.2A - 100 mA 120W 60 V
VRF154FL

VRF154FL

MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2

Microchip Technology
2,101 -

RFQ

VRF154FL

Ficha técnica

Tube - Active N-Channel 80MHz 17dB 50 V 4mA - 800 mA 600W 170 V
GTVA311801FA-V1

GTVA311801FA-V1

180W GAN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHZ

Wolfspeed, Inc.
3,310 -

RFQ

GTVA311801FA-V1

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) GaN Active HEMT 2.7GHz ~ 3.1GHz 15dB - - - - 180W 50 V
UF28150J

UF28150J

MOSFET 150W 28V 100-500MHZ

MACOM Technology Solutions
2,249 -

RFQ

UF28150J

Ficha técnica

Tray - Active 2 N-Channel (Dual) 100MHz ~ 500MHz 8dB 28 V 16A - 400 mA 150W 65 V
VRF157FL

VRF157FL

MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2

Microchip Technology
3,312 -

RFQ

VRF157FL

Ficha técnica

Tube - Active N-Channel 80MHz 21dB 50 V 4mA - 800 mA 600W 170 V
CLF1G0035-200PU

CLF1G0035-200PU

RF FET 50V 11DB SOT1228A

Ampleon USA Inc.
3,815 -

RFQ

CLF1G0035-200PU

Ficha técnica

Tray - Not For New Designs GaN HEMT - - - - - - - -
CLF1G0035S-200PU

CLF1G0035S-200PU

RF FET 50V 11DB SOT1228B

Ampleon USA Inc.
3,137 -

RFQ

CLF1G0035S-200PU

Ficha técnica

Tray - Not For New Designs GaN HEMT - - - - - - - -
BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

Ampleon USA Inc.
2,240 -

RFQ

BLS6G2731S-130,112

Ficha técnica

Tray - Active LDMOS 2.7GHz ~ 3.1GHz 12dB 32 V 33A - 100 mA 130W 60 V
BLS6G2933S-130,112

BLS6G2933S-130,112

RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221

Ampleon USA Inc.
3,788 -

RFQ

BLS6G2933S-130,112

Ficha técnica

Tray - Active LDMOS 2.9GHz ~ 3.3GHz 12.5dB 32 V 33A - 100 mA 130W 60 V
BLL6H1214P2S-250Z

BLL6H1214P2S-250Z

RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE

Ampleon USA Inc.
2,221 -

RFQ

BLL6H1214P2S-250Z

Ficha técnica

Tray - Not For New Designs LDMOS (Dual) 1.2GHz ~ 1.4GHz 27dB 45 V - - 200 mA 53dBm 50 V
BLS7G3135LS-200U

BLS7G3135LS-200U

RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B

Ampleon USA Inc.
3,743 -

RFQ

BLS7G3135LS-200U

Ficha técnica

Tray - Active LDMOS 3.5GHz 12dB 32 V - - 100 mA 200W 65 V
PTVA127002EV-V1-R0

PTVA127002EV-V1-R0

IC AMP RF LDMOS H-36275-4

Wolfspeed, Inc.
3,787 -

RFQ

PTVA127002EV-V1-R0

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Active LDMOS 1.2GHz ~ 1.4GHz 16dB 50 V 10µA - 150 mA 700W 105 V
BLA6H0912-500,112

BLA6H0912-500,112

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

Ampleon USA Inc.
2,050 -

RFQ

BLA6H0912-500,112

Ficha técnica

Tray - Active LDMOS 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 50 V 54A - 100 mA 450W 100 V
BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600,112

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

Ampleon USA Inc.
3,449 -

RFQ

BLA6H1011-600,112

Ficha técnica

Bulk,Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 1.03GHz ~ 1.09GHz 17dB 48 V 72A - 100 mA 600W 100 V
BLL6H1214LS-500,11

BLL6H1214LS-500,11

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B

Ampleon USA Inc.
3,021 -

RFQ

BLL6H1214LS-500,11

Ficha técnica

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 50 V - - 150 mA 500W 100 V
IGT2731M130

IGT2731M130

GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

Integra Technologies Inc.
2,954 -

RFQ

IGT2731M130

Ficha técnica

Tray * Active - - - - - - - - -
A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110

RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22

NXP USA Inc.
3,709 -

RFQ

A3G26D055N-2110

Ficha técnica

Bulk - Active GaN 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 48 V - - 40 mA 8W 125 V
A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805

RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18

NXP USA Inc.
3,684 -

RFQ

A3G26D055N-1805

Ficha técnica

Bulk - Active GaN 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 48 V - - 40 mA 8W 125 V
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1500+
1500+ Promedio diario de RFQ
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20,000.000 Unidad estándar de producto
1800+
1800+ Fabricantes en todo el mundo
15,000+
15,000+ Almacén en inventario
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