Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Foto: Número de parte del fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Ficha técnica Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
CSD18503KCS

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

National Semiconductor
740 -

RFQ

CSD18503KCS

Ficha técnica

Bulk NexFET™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 2.3V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 3150 pF @ 20 V - 188W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
FDS6375

FDS6375

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

National Semiconductor
3,124 -

RFQ

Bulk PowerTrench® Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8A (Ta) 2.5V, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±8V 2694 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
1500+
1500+ Promedio diario de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidad estándar de producto
1800+
1800+ Fabricantes en todo el mundo
15,000+
15,000+ Almacén en inventario
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Inicio

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Producto

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Teléfono

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Usuario