Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Foto: Número de parte del fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Ficha técnica Packaging Series ProductStatus FETType FETFeature DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds Power-Max OperatingTemperature MountingType
FBG20N04AC

FBG20N04AC

GAN FET HEMT200V 4A COTS 4FSMD-A

EPC Space, LLC
2,428 -

RFQ

FBG20N04AC

Ficha técnica

Tray eGaN® Active - Logic Level Gate 200V 4A (Tc) 130mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 1mA 3nC @ 5V 150pF @ 100V - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
1500+
1500+ Promedio diario de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidad estándar de producto
1800+
1800+ Fabricantes en todo el mundo
15,000+
15,000+ Almacén en inventario
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Inicio

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Producto

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Teléfono

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Usuario

Tipsχ