Diodos láser, módulos láser

Foto: Número de parte del fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Ficha técnica Packaging Series ProductStatus Wavelength Voltage-Input CurrentRating(Amps) Power(Watts)
GH06507B2A

GH06507B2A

LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Sharp Microelectronics
3,278 -

RFQ

GH06507B2A

Ficha técnica

Bag - Obsolete 654nm 2.2V 33mA 7mW
GH06510B2A

GH06510B2A

LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Sharp Microelectronics
2,208 -

RFQ

GH06510B2A

Ficha técnica

Bag - Obsolete 654nm 2.2V 40mA 10mW
GH06550B2B

GH06550B2B

LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Sharp Microelectronics
3,207 -

RFQ

GH06550B2B

Ficha técnica

Bag - Obsolete 654nm 2.6V 80mA 50mW
GH06560B2C

GH06560B2C

LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Sharp Microelectronics
3,413 -

RFQ

GH06560B2C

Ficha técnica

Bag - Obsolete 658nm 2.6V 85mA 60mW
GH0781JA2C

GH0781JA2C

LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Sharp Microelectronics
3,441 -

RFQ

GH0781JA2C

Ficha técnica

Bag - Obsolete 784nm 2.1V 141mA 120mW
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Sharp Microelectronics
2,769 -

RFQ

GH04P21A2GE

Ficha técnica

Tray - Obsolete 406nm 5.4V 150mA 105mW
GH04020B2A

GH04020B2A

LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Sharp Microelectronics
3,413 -

RFQ

GH04020B2A

Ficha técnica

Tray - Obsolete 406nm 4.9V 38mA 20mW
GH04125A2A

GH04125A2A

LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Sharp Microelectronics
2,363 -

RFQ

GH04125A2A

Ficha técnica

Tray - Obsolete 406nm 5.4V 125mA 130mW
1500+
1500+ Promedio diario de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidad estándar de producto
1800+
1800+ Fabricantes en todo el mundo
15,000+
15,000+ Almacén en inventario
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

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