Diodos - Rectificadores - Matrices

Foto: Número de parte del fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Ficha técnica Packaging Series ProductStatus DiodeConfiguration DiodeType Voltage-DCReverse(Vr)(Max) Current-AverageRectified(Io)(perDiode) Voltage-Forward(Vf)(Max)@If Speed ReverseRecoveryTime(trr) Current-ReverseLeakage@Vr OperatingTemperature-Junction MountingType
IV1D12020T3

IV1D12020T3

SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T

Inventchip
120 -

RFQ

IV1D12020T3

Ficha técnica

Tube - Active 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 30A (DC) 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C Through Hole
IV1D12030U3

IV1D12030U3

SIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T

Inventchip
120 -

RFQ

IV1D12030U3

Ficha técnica

Tube - Active 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 44A (DC) 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C Through Hole
IV1D12040U2

IV1D12040U2

SIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2

Inventchip
120 -

RFQ

IV1D12040U2

Ficha técnica

Tube - Active 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 102A (DC) 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C Through Hole
1500+
1500+ Promedio diario de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidad estándar de producto
1800+
1800+ Fabricantes en todo el mundo
15,000+
15,000+ Almacén en inventario
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

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